Полупроводниковые соединения

Структура сложных полупроводников образуется атомами различных химических элементов. К этой группе относятся твёрдые растворы и химические соединения.

1.Сложные полупроводники 4-й группы Периодической системы Д.И. МЕНДЕЛЕЕВА.

Карбид кремния – хрупкий материал поликристаллического строения. Карбид кремния образуется в результате химического соединения кремния и углерода. Исходными материалами для его получения являются чистый кварцевый песок и кокс.

Карбид кремния, легированный фосфором, сурьмой или висмутом, имеет тёмно-зелёную окраску и обладает электронной электропроводностью, а легированный галлием, алюминием или бором, имеет тёмно-фиолетовую окраску и обладает дырочной электропроводностью.

Основные характеристики карбида кремния: плотность 3200 кг/кубический метр; температура плавления 2700 градусов; удельное электрическое сопротивление 100 – 100000 Ом. метр; диэлектрическая проницаемость 6,5 – 7,5.

Карбид кремния является примесным полупроводником, но при температуре 1400 градусов и выше у него появляется собственная электропроводность.

Наиболее чистые сорта карбида кремния применяют в производстве варисторов – резисторов, работающих в интервале температур от минус 50 градусов до плюс 80 градусов. Варисторы используют в устройствах автоматического регулирования.

Из поликристаллического карбида кремния получают монокристаллы карбида кремния, которые широко используют для изготовления диодов и транзисторов на рабочие температуры до 700 градусов, а также для производства светодиодов.