Раздел 2
Содержание:
Биполярные транзисторы
Три схемы включения биполярного транзистора
Биполярный транзистор в схеме с общим эмиттером (ОЭ)
Параметры биполярного транзистора
Представление транзистора в малосигнальном режиме работы четырехполюсником
Составные транзисторы
Частотные свойства биполярных транзисторов
Полевые транзисторы
Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом
Полевые транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)
Тиристоры
Устройство и принцип работы динистора
Устройство и принцип работы тиристора (тринистора)
Устройство и принцип работы симистора
Электронные ключи
Диодные электронные ключи
Транзисторные ключи
Силовые (мощные) полупроводниковые приборы
Силовые полевые транзисторы
ДМДП-транзистор
VМДП-транзистор
IGBT-транзистор
SIT-транзистор
Вопросы для подготовки к тесту
Транзисторы подразделяются на биполярные и полевые. Каждый из этих типов имеет свой принцип работы и конструктивное исполнение, однако, общим для них является наличие полупроводниковых p-n структур.
|
|
Условные графические обозначения (УГО) транзисторов приведены в таблице:
Тип прибора | Условное графическое обозначение (УГО) | ||
Биполярные | Биполярный p-n-p типа | ||
Биполярный n-p-n типа | |||
Полевые | С управляющим p-n переходом | С каналом p-типа | |
С каналом n-типа | |||
С изолированным затвором МОП транзисторы | С встроенным каналом | Встроенный канал p-типа | |
Встроенный канал n-типа | |||
С индуцированным каналом | Индуцированный канал p-типа | ||
Индуцированный канал n-типа |