ВАХ реального электронно-дырочного перехода

Прямая ветвь реального перехода

Некоторые осн. носители (e из n-области) вошедшие в обедненный слой не имеют достаточной энергии для преодоления пот. барьера. Они могут быть захвачены реком. ловушкой и рекомбинировать с дырками пришедшими из другой области.

При приложении Uпр пот. барьер понижается, что увеличивает концентрацию этих носителей в переходе, в результате рекомбинация усиливается. Вследствие такого движения возникает дополнительный прямой ток, называемый током рекомбинации.

Полный прямой ток складывается из тока инжекции и тока рекомбинации в реальном пр. ток больше чем в идеализированном. Отношение тока инжекции к рекомбинирующему току зависит от ширины запрещенной зоны. В п/п с шириной з.з (Si) инжекция затруднена, поэтому Iпр (при малых U) будет определяться током рекомбинации, а при увеличении напряжения ток инжекции превысит ток рекомбинации. В идеализированном переходе сопротивление базы = 0 в

реальных это сопротивление составляет 10… 100 Ом.

Определим Iв на котором expв линейную

Омический участок – большая часть ВАХ

При высоких уровнях инжекции наблюдается эффект модуляции Rб т.е. уменьшение сопротивления в 2 раза связанное с увеличением концентрации носителей в базе. -факторы неидеальности определяемые по реальным характеристикам.