МДП транзистор, имеющий модель N1 и ширину канала 10мкм и длину 3 мкм, будет описан следующим образом.
После обозначения транзистора M1 (первый символ - M) перечисляются выводы стока, затвора, истока и подложки, название модели (N1) транзистора и его размеры:
M1 1 2 3 4 N1 W=10um L=3um
Модель транзистора описывается следующим образом:
.model N1 NMOS(список параметров)
Основные параметры модели следующие:
LEVEL - уровень сложности модели (рекомендуется LEVEL=3);
LD - отличие эффективной длины канала от геометрической [mkm];
WD - отличие эффективной ширины канала от геометрической [mkm];
Vto - пороговое напряжение при нулевом смещении [B];
Tox - толщина окисла [m];
Uo - максимальная подвижность носителей в канале [см*см/В/сек];
Gamma - коэффициент влияния подложки на пороговое напряжение;
Lambda - коэффициент модуляции длины канала [1/B];
Cbd - емкость перехода подложка-сток при нулевом смещении [Ф];
Cbs - емкость перехода подложка-исток при нулевом смещении [Ф];
Cgso - удельная емкость перекрытия затвор-исток [Ф/м];
Cgdo - удельная емкость перекрытия затвор- сток [Ф/м];
Cgbo - удельная емкость затвор-подложка [Ф/м];
для p-канальных транзисторов пороговое напряжение Vto < 0!
Рис. 50. Подключение МДП транзистора
Пример параметров:
.model M1 NMOS(LEVEL=3 Ld=0.2um Wd=0.1um Vto=1 Tox=0.06um Uo=600 Cbd=0.05p
+ Cbs=0.05p Cgso=0.02p Cgdo=0.02p Cgbo=0.03p)