Таким образом, в ходе проведения курсового исследования было установлено, что наиболее широко распространены следующие типы p-n-переходов: точечные, сплавные, диффузионные и эпитаксиальные, рассмотрены особенности технологических процессов изготовления этих переходов. Опираясь на исходные данные, была рассчитана контактная разница потенциалов, которая составила 0,417 (В). В третьей главе курсового проекта был рассмотрен внешний фотоэффект и его использование в фотодиодах, а также лавинный фотодиод и его свойства
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Анималу А. Квантовая теория кристаллических твердых тел. –М.: Мир, 1981;
2. Блейкмор Дж. Физика твердого тела. –М.: Мир, 1988;
3. Гранитов Г.И. Физика полупроводников и полупроводниковые приборы. –М.: Сов. радио, 1977;
4. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника: Учебное издание. –М.: Высшая школа, 1991;
5. Давыдов А.С. Квантовая механика. –М.: Физматгиз, 1963;
6. Савельев И.В. Курс общей физики. В 3 т. –М.: Наука, 1979. Т.3;
7. Фистуль В.И, Введение в физику полупроводников. –М.: Высшая школа, 1984;
|
|
8. Электроника. Энциклопедический словарь. –М.: Советская энциклопедия, 1991.
Приложение
Обозначения основных величин, принятые в работе
Ec- энергия соответствующая дну запрещённой зоны
EF- фермиевская энергия
Ek- энергетическая ступень, образующаяся в p–n-переходе
Emax- максимальная напряжённость электрического поля
Ev- энергия соответствующая потолку валентной зоны
Fi- электрическая энергия
Fip (Fin)- электростатическая энергия в p (n)-области
j- плотность тока
jg0- плотность тока термогенерации носителей заряда
jngp0 (jpgp0)- плотность дрейфового тока, текущего через p-n-переход из n-области (p-области) в p-область (n-область)
jngup0 (jpgup0)- плотность диффузионного тока, текущего через p-n-переход из n-области (p-области) в p-область (n-область)
jz0- плотность тока рекомбинации носителей заряда
l0- ширина р-n перехода.
ln0 (lp0) - ширина n (p) -области p-n-перехода
Ls- дебаевская длина
N- результирующая концентрация примеси
n (p)- концентрация электронов (дырок) в полупроводнике
n0 (p0)- равновесная концентрация электронов (дырок) в полупроводнике
Na (Nd)- концентрация акцепторной (донорной) примеси.
ni- собственная концентрация носителей заряда
nn (np) - концентрация электронов в n (р) области
nno (npo)- равновесная концентрация электронов в n (р) области
NЭ (NБ) - абсолютная величина результирующей примеси в эмиттере (базе)
P(x)- распределение плотности объёмного заряда
pp (pn)- концентрация дырок в р (n) области
ppo (pno)- равновесная концентрация дырок в р (n) области
pЭ (pБ)- плотность объёмного заряда
q, e- заряд электрона
T- температура окружающей среды
|
|
Vk- энергия контактного поля
ε- напряженность электрического поля
ε- относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника
ε0- диэлектрическая постоянная воздуха
μn (μp)- подвижность электронов (дырок)
τε- время диэлектрической релаксации
φ- электрический потенциал
φk- контактная разность потенциалов
φT- температурный потенциал