Содержание. По проектированию и конструированию полупроводниковых приборов

1 2 3 4 5 6 7

ЗАДАНИЕ НА КУРСОВОЙ ПРОЕКТ

По проектированию и конструированию полупроводниковых приборов

1. Тема: Расчет выпрямительного диффузионного диода.

2. Срок представления курсового проекта к защите:

3. Исходные данные для проектирования:

3.1 Повторяющееся импульсное обратное напряжение: U_RRM = 2000 B.

3.2 Максимально допустимый прямой ток: I_FAV = 350 A.

3.3 Обратный допустимый ток: I_RRM ≤ 3 мА.

3.4 Прямое падение напряжения: U_FM ≤ 1,5 В.

4. Содержание пояснительной записки курсового проекта.

4.1 Расчет удельного сопротивления исходного кристалла.

4.2 Расчет геометрических размеров слоев выпрямительного элемента.

4.3 Расчет диаметра выпрямительного элемента и выбор конструкции корпуса диода.

4.4 Проверка соответствия расчетных и заданных значений основных параметров диода и корректировка расчетов.

5. Перечень графического материала.

5.1 Вольт амперная характеристика диода единичной площади.

5.2 Графики зависимости выделяемой и отводимой мощности от диаметра выпрямительного элемента.

5.3 Структура выпрямительного элемента.

РЕФЕРАТ

Пояснительная записка содержит 32 страницы печатного текста, 2 рисунка, 3 таблицы, 3 приложения, при написании использовалось 3 источника литературы.

выпрямительный элемент, экспоненциальная модель, диффузионный профиль, удельное сопротивление, напряжение пробоя, область пространственного заряда, прямой ток, диод.

Объектом разработки является выпрямительный диффузионный диод.

Цель работы-проектирование выпрямительного диффузионного диода.

Методы разработки - аналитический расчет.

Полученные результаты: по заданным электрическим параметрам определены технологические параметры изготовления выпрямительного элемента, разработана структура диода.

Основные конструкционные и эксплуатационные характеристики: Повторяющееся импульсное обратное напряжение U_RRM = 2000 B, максимально допустимый прямой ток I_FAV = 350 A, обратный допустимый ток I_RRM ≤ 70 мА, прямое падение напряжения U_FM ≤ 1,5 В. Удельное сопротивление исходного кристалла r = 70 Ом×см, толщина структуры W = 270 мкм, глубина залегания p - n-перехода x_j = 55 мкм, параметры диффузии Dt = 2,17 ×10^-6см^-2, диаметр выпрямительного элемента d_В= 24 мм. Максимальная температура корпуса T_C = 140°C.

Область применения:разработанный диод может применяться в любой силовой аппаратуре, где необходимо его использование и соблюдаются условия эксплуатации.

СОДЕРЖАНИЕ

Введение

1. Теоретическая часть

1.1 Выбор материала диода и типа проводимости исходного кристалла

1.2 Определение удельного сопротивления исходного кристалла

1.3 Расчет геометрических размеров слоев выпрямительного элемента

1.4 Расчет диаметра выпрямительного элемента и выбор конструкции корпуса диода

1.5 Проверка соответствия расчетных и заданных значений основных параметров диода и корректировка расчетов

2. Расчетная часть

2.1 Расчет удельного сопротивления исходного кристалла

2.2 Расчет геометрических размеров слоев выпрямительного элемента

2.3 Расчет диаметра выпрямительного элемента и выбор конструкции корпуса диода