Лабораторное занятие
Снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода
Цель занятия: Научиться опытном путем снимать вольт-амперные характеристики полупроводниковова диода
Теоретический учебный материал
Двухэлектродный полупроводниковый элемент – диод содержит n- и p- проводящие слои (рисунок1)в n-проводящем слое в качестве свободных носителей заряда преобладают электроны, а в р- проводящем слое – дырки. Существующий между этими слоями р-n переход имеет внутренний потенциальный барьер, препятствующий соединению свободных носителей заряда. Таким образом, диод блокирован.
р- n переход
условное обозначение:
Рисунок 1 | При прямом приложении напряжений («+» к слою р, «-»к слою n) потенциальный барьер уменьшается, и диод начинает проводить ток (диод открыт).при обратном напряжении потенциальный барьер увеличивается (диод заперт). В обратном направлении протекает только небольшой ток утечки, обусловленный неосновными носителями. |
Ход работы:
Снять вольтамперную характеристику полупроводникового диода в прямом и обратном направлениях.