ВАХ диода

Изменение электропроводности p-n- перехода в зав-ти от полярности приложенного U лежит в основе всех силовых полупроводниковых приборов.

Рассмотренная простейшая полупроводниковая структура является основой неуправляемого диода, вольт-амперная характеристика к-ого показана на рис. 1.

В первом квадранте показана прямая ветвь хар-ки, описывающая состояние высокой проводимости диода при приложенном к нему прямом U, к-ая линеаризуется кусочно-линейной функцией: где U - U на вентиле при прохождении тока i; U₀ - пороговое напряжение; R_Д - динамическое сопр-ие.

В третьем квадранте находится обратная ветвь вольт-амперной хар-ки, описывающая состояние низкой проводимости при приложенном к диоду обратном U. В состоянии низкой проводимости ток через полупроводниковую структуру практически не протекает. Однако это справедливо только до определенного предела напряжения.

При обратном U, когда напряженность электрического поля
в p-n- переходе достигает порядка 10В/см, это поле м. сообщить
подвижным носителям заряда электронам и дыркам, постоянно возникающим во всем объеме полупроводниковой структуры в рез-те термической генерации, кинетическуюэнергию, достаточную для ионизации нейтральных атомов кремния. Образовавшиеся дырки и электроны проводимости, в свою очередь, ускоряются электрическим полем p-n- перехода и также ионизируют нейтральные атомы кремния. При этом происходит лавинообразное нарастание обратного тока, т. е. лавинный пробой. U, при к-ом происходит резкое повышение обратного тока, наз. напряжением пробоя U₃.