МОСКОВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ
(ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)
ФАКУЛЬТЕТ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ
ЛЕТАТЕЛЬНЫХ АППАРАТОВ
К.П. КИРДЯШЕВ
МОДЕЛИРОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХ
МОСКВА, 2007
СОДЕРЖАНИЕ
Предисловие..................................................... 3
Введение........................................................ 5
Раздел первый. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ........................... 6
Работа 1. Вольт-амперные характеристики полупроводникового диода... 6
Работа 2. Барьерная емкость полупроводникового диода и электронная
перестройка частоты колебательного контура............... 13
Работа 3. Вольт-амперные и световые характеристики фотодиода...... 20
Работа 4. Параметры и статические характеристики МДП-транзистора..29
Раздел второй. ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫЕ ПРИБОРЫ. СВЧ ПРИБОРЫ С ДИНАМИЧЕСКИМ УПРАВЛЕНИЕМ.............................. 38
Работа 5. Термоэмиссионные характеристики вакуумного диода....... 38
Работа 6.. Траектории электронного пучка в электровакуумных приборах
|
|
с электростатическим отклонением....................... 47
Работа 7. Движение электронов в магнитном поле электровакуумных
приборов.............................................. 56
Работа 8. Режимы генерации СВЧ колебаний и параметры колебательной
системы отражательного клистрона....................... 66