Между контактн. площадками расположены зерна углеродистого материала или зерна полупроводника. При воздействии давления Р (даже очень малого, соизмер-ого с Р созданным звуковыми волнами) положение зерен меняется, меняется S контакта между ними, следовательно изменяется объемное R образца. Материал обладает очень высокой чувствительностью:
Современные резистивные преобраз-ли контактного R выполненный из полупроводников обладают зернистой стр-рой, при этом повышенная чувствительность позволяет использ. очень маленькие источники питания.
Недостатки: наличие спонтанных шумовых сигналов
-- низкая (связано с высокой интенсивн. зерен, при малых измен-ях темп-ры)
Соврем. преобразователи использ. прессованные тонкие диски п/п, общее изменение сопротивления.
, С- хар-ка материала. R0 – сопротивление диска
Использ. для измерения малых механич. Р.
Газочувствительные резистивные элементы.
Ряд оксидов Ме (PbO, ZnO2, SnO2 и т.д.) обладают способностью находиться в нестехиометрич. состоянии. На поверхности образца возникает ряд оборванных незаполненных связей. Если на пов-сти такого оксида присутствуют постор примеси (мол-лы газов в атмосфере), то эти связи замыкаются, образуя проводящие мостики, меняющие поверхностное сопротивление оксида. При взаимодействии пов-сть такого оксида с мол-лами окр. среды (либо кислородо-, либо водородосод-щих) происходят ОВР.
|
|
При взаимодействии с О2 пов-сть (частично оборван. кислородные связи) происходит доокисление части проводника с образ-ем полного оксида, при этом изменяется сопротивление образца. Степень измен-я R пропорциональна измен-ю конц-ции О2 (в известных пределах).
Это явление обладает обратимым эффектом. При уменьш. кол-ва О2 оксид возвращ. в нестехиометрич. состояние – квазистабильное.
Осущ-тся поддержание этого состояния нагревом п/проводника до t= 300-400 0С.
При наличии в атмосфере мол-л Н2 происх-т восстановление проводимости оксида до Ме. Такие элем-ты исполь-тся в приборах газового анализа, где требуется опред-ние конц-ции водородо-кислородо содержащих элем-тов.
R=f(C)
МеО |