Основные формулы и уравнения

Методическое пособие.

В помощь изучающим дисциплину«Электронная техника»

Справочное пособие предназначено в помощь студентам очного и заочного отделений всех специальностей, изучающим дисциплину «Электронная техника» при повторении учебного материала и самостоятельной работе.

Основные формулы и уравнения

Сопротивление диода постоянному току определяется по формуле (Ф1)

где — анодное напряжение в прямом направлении, В; анодный ток в прямом направлении, А.

Дифференциальное сопротивление диода (Ф2)

где - изменение прямого анодного напряжения, В; -изменение прямого анодного тока, А.

Крутизна вольт-амперной характеристики диода (Ф3)

Мощность потерь на аноде диода (Ф4)

Входное сопротивление транзистора переменному току (Ф5)

где — изменение входного напряжения, В; — изменение входного тока под действием изменения входного напряжения, А..

Коэффициенты передачи (усиления):

усиления тока базы в схеме с общим эмиттером , (β) (Ф6)

усиления тока эмиттера в схеме с общей базой , (α) (Ф7)

где , , —изменения токов коллектора, базы и эмиттера.

Связь между коэффициентом передачи тока базы и коэффициентом передачи тока эмиттера

(Ф8)_ или β = α / (1-α) (Ф9)

Мощность потерь на коллекторе (Ф10) (

Таблица УГО полупроводниковых приборов

	Диоды (VD): а) выпрямительные, высокочастотные, импульсные СВЧ, и диоды Гана.(Д); б) стабилитроны (С); в) варикапы (В); г) тоннельный диод (И); д) диоды Шотки (Д); е) светодиоды (Л); ж) фотодиоды (Ф);
		Транзисторы биполярные (Т): з) n-p-n; и) p-n-p -типа Транзисторы полевые или униполярные (П): с управляемым p-n переходом к) с управляемым p-n переходом и каналом n –типа; л) с управляемым p-n переходом и каналом р –типа;
		Транзисторы полевые или униполярные (П): с изолированным затвором или МДП транзисторы м) с встроенным каналом n –типа; н) с встроенным каналом р –типа; о) с индуцированным каналом n –типа; п) с индуцированным каналом р–типа
	Тиристоры: р) динистор (Н); с) тринистор (У) с управлением соответственно по катоду и аноду.