Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max | Ucb max | Uce max | Ueb max | Ic max | Tj max, °C | Ft max | Cc tip | Hfe |
310mW | 40V | 40V | 5V | 200mA | 135°C | 250MHz | 100MIN |
----------------------------------------------------------------------------------------------------
Основные параметры транзистора 2N4058 биполярного низкочастотного p-n-p.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max | Ucb max | Uce max | Ueb max | Ic max | Tj max, °C | Ft max | Cc tip | Hfe |
360mW | 30V | 30V | 6V | 30mA | 150°C | - | - | 100MIN |
-----------------------------------------------------------------------------------------
Основные параметры транзистора 2N4061 биполярного низкочастотного p-n-p.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max | Ucb max | Uce max | Ueb max | Ic max | Tj max, °C | Ft max | Cc tip | Hfe |
360mW | 30V | 30V | 6V | 30mA | 150°C | - | - | 90/330 |
Основные параметры транзистора 2N4062 биполярного низкочастотного p-n-p.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max | Ucb max | Uce max | Ueb max | Ic max | Tj max, °C | Ft max | Cc tip | Hfe |
360mW | 30V | 30V | 6V | 30mA | 150°C | - | - | 180MIN |
---------------------------------------------------
Основные параметры транзистора 2N4125 биполярного высокочастотного p-n-p.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max | Ucb max | Uce max | Ueb max | Ic max | Tj max, °C | Ft max | Cc tip | Hfe |
310mW | 30V | 30V | 4V | 200mA | 135°C | 200MHz | 50/150 |
------------------------------------------------------
Основные параметры транзистора 2N4126 биполярного высокочастотного p-n-p.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max | Ucb max | Uce max | Ueb max | Ic max | Tj max, °C | Ft max | Cc tip | Hfe |
310mW | 25V | 25V | 4V | 200mA | 135°C | 250MHz | 120MIN |
-------------------------------------------------------------------
Основные параметры транзистора 2N4289 биполярного высокочастотного p-n-p.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max | Ucb max | Uce max | Ueb max | Ic max | Tj max, °C | Ft max | Cc tip | Hfe |
250mW | 60V | 45V | 7V | 50mA | 150°C | 40MHz | 100MIN |
-----------------------------------------------------------------
Основные параметры транзистора 2N4398 биполярного низкочастотного p-n-p.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max | Ucb max | Uce max | Ueb max | Ic max | Tj max, °C | Ft max | Cc tip | Hfe |
200W | 40V | 40V | 5V | 50A | 200°C | 4MHz | - | 15/60 |
---------------------------------------------
Основные параметры транзистора 2N4291 биполярного высокочастотного p-n-p.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max | Ucb max | Uce max | Ueb max | Ic max | Tj max, °C | Ft max | Cc tip | Hfe |
250mW | 40V | 30V | 5V | 600mA | 150°C | 100MHz | 100MIN |