К контрольной работе № 2

на тему:

"ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ"

 

1. Электрофизические свойства ПП. Внутренняя структура, виды проводимости и типы ПП. Дрейфовый и диффузионный токи.

2. Физика образования ЭДП, сущность потенциального баръера p-n перехода. Работа ЭДП под внешним U при прямом и обратном включении (аналитическое и графическое описание ВАХ p-n перехода).

3. Полупроводниковые диоды. Назначение, классификация и УГО выпрямительных диодов, их принцип действия, схема включения, характеристики и параметры.

4. Полупроводниковые диоды. Назначение, классификация и УГО стабилитронов, их принцип действия, схема включения, характеристика и параметры.

5. Полупроводниковые диоды. Назначение, классификация и УГО туннельных диодов, их принцип действия, схема включения, характеристика и параметры.

6. Полупроводниковые диоды. Назначение, классификация и УГО варикапов, их принцип действия, схема включения, характеристика и параметры.

7. Биполярные транзисторы. Устройство и принцип действия, классификация и УГО. Режимы включения, режимы работы, характеристики и параметры.

8. Составной транзистор. Схема составного транзистора, ее сущность и принцип действия.

9. Полевые транзисторы. Принцип действия, структура, схемы включения, характеристики и параметры ПТ с ЭДП.

10. Полевые транзисторы. Структура, принцип действия, схемы включения, характеристики и параметры ПТ с изолированным затвором.

11. Тиристоры. Классификация и УГО. Устройство и принцип действия динистора, режимы работы, характеристика и параметры.

12. Тиристоры. Устройство и принцип действия тринистора, режимы работы, характеристика и параметры. Методы управления током тринистора, сущность, схема и принцип действия.

13. Статический режим работы БПТ. Сущность, характеристики и схемы для их экспериментального построения, основные параметры.

14. Динамический режим работы БПТ. Сущность, характеристики и схемы для их экспериментального построения, основные параметры.

15. Динамический режим работы БПТ. Исследование работы БПТ графоаналитическим методом.

16. Малосигнальные модели биполярных транзисторов. Назначение, сущность, принципиальная схема физической модели БПТ, включенного по схеме с ОЭ.

17. Схема замещения БПТ, включенного по схеме с ОЭ, выполненная на основе h - параметров. Сущность, эквивалентная схема замещения, физический смысл h - параметров.

18. Методика определения h - параметров по входным и выходным статическим характеристикам БПТ.

19. Физические основы фотоэлектронных приборов. Спектр электромагнитного излучения. Суть внешнего и внутреннего фотоэффектов. Фоторезистор: конструкция, принцип действия, основные характеристики, применение.

20. Фотодиоды: режимы работы, схемы включения, основные характеристики, применение.

21. Фототранзисторы: режимы работы, схемы включения, основные характеристики, применение.

22. Оптроны: общая характеристика, классификация, УГО, маркировка, схемы включения, применение.

23. Основы микроэлектроники (МЭ). Основные термины и определения МЭ. Параметры и классификация интегральных микросхем (ИМС). Общие сведения о технологии изготовления ИМС.

24. Основы микроэлектроники. Технологические основы МЭ: эпитаксия, диффузия и ионное легирование. Принципы создания пассивных и активных элементов ИМС.

 

Приложение Е

П Е Р Е Ч Е Н Ь ВОПРОСОВ