Просвечивающая электронная микроскопия разрешение до 0,1 нм, размер участка - до 50 нм. Объект тонкая пленка или реплика с поверхности образца. | дислокации |
Растровая электронная микроскопия (РЭМ) сканирование поверхности сфокусированным лучом электронов инициирует характеристическое рентгеновское излучение элементов слоя материала толщиной 1-2 мкм. | скорлупа |
Спектральные методы анализ энергетических спектров отражения при облучении материала электронами, ионами и фотонами, размер участка 1-2 мкм. | |
Оже-спектроскопия При возбуждении атомов поверхности происходит эмиссия вторичных электронов без испускания фотонов (квантов рентгеновского излучения). | |
Масс-спектроскопия анализ вторичных ионов - По положению пиков в спектре определяют тип атомов, а по их относительной интенсивности концентрацию атомов в поверхностном слое. | 1-источник ионов, 2- первичный ионный пучок, 3- объект, 4-поток вторичных ионов, 5-магнитный сепаратор, 6-масс-детектор |
Сканирующие зондовые методы для наноматериалов зонд - алмазная игла с радиусом при вершине 10 нм. Трехмерное изображение поверхности. | |
Сканирующая туннельная микроскопия Зонд - электропроводящее острие. Между зондом и образцом - туннельный эффект (квантовый переход электрона) По величине второй производной туннельного тока определяют тип атома. |
Общая характеристика керамических наноструктур