Кристаллы полупроводников имеют атомную кристаллическую решетку.Взаимодействие пары соседних атомов осуществляется посредством парноэлектронной — ковалентной связи.В образовании ее участвуют по одному электрону от каждого атома.Их отрицательный заряд удерживает положительные иокы германия друг возле друга. Эти ковалентные связи при низких температурах достаточно прочны, и свободных электронов в кристалле почти нет. Поэтому полупроводники при низкой температуре не проводят электрического тока.Участвующие в связи атомов валентные электроны прочно привязаны к кристаллической решетке, и внешнее электрическое поле почти не влияет на их движение.
Электропроводимость химически чистого полупроводника возможна в том случае, когда ковалентные связи в кристаллах разрываются и появляются свободные электроны. Например, нагревание даже до небольших температур приводит к разрыву ковалентных связей, появлению свободных электронов и возникновению собственной электронной проводимости чистого полупроводника. После ухода электрона со своего места в этой области кристалла нарушилась его нейтральность.В том месте, откуда ушел электрон, возникает избыточный положительный заряд—образуется положительная "дырка". Она обладает положительным зарядом, равным по модулю заряду электрона. На освободившееся от электрона вакантное место может перескочить другой электрон.В отсутствии внешнего электрического поля эти свободные электроны и дырки движутся в кристалле полупроводника хаотически.
|
|
Электропроводность чистого полупроводника, обусловленная упорядоченным перемещением дырок, называется собственной дырочной проводимостью. У чистых полупроводников число электронов проводимости всегда равно числу дырок.Энергия, которая должна быть затрачена для создания в кристаллах чистых полупроводников электропроводности, называется энергией активации собственной проводимости.С повышением температуры возрастает число разрывов ковалентных связей и увеличивается количество свободных электронов и дырок в кристаллах чистых полупроводников, а, следовательно, возрастает удельная электропроводность и уменьшается удельное сопротивление чистых полупроводников.