Примеры решения задач. Задача 1. По выходным характеристикам транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (рис

Задача 1. По выходным характеристикам транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (рис. 1), определить коэффициент усиления по току β (параметр h₂₁) для точки А, характеризующейся напряжением коллектор-эмиттер U_КЭ=25 В и током базы I_б=500 мкА. Пересчитать коэффициент усиления по току этого транзистора при его включении по схеме с общей базой.

Решение. 1. Находим заднюю точку А на семействе выходных характеристик транзистора (рис. 1).

2. Опускаем перпендикуляр из точки А на горизонтальную ось до пересечения с ближней кривой и обозначаем точку пересечения В.

3. Из построения видно, что отрезок АВ представляет собой разность двух значений токов коллектора ∆ I_К и тока базы ∆ I_К

определяем их значение:

∆ I_К=АВ=38-32=6 мА=6000 мкА;

∆ I_б=АВ=500-400-100 мкА

коэффициент усиления по току при U_КЭ=25 В

4. Определяем коэффициент усиления этого транзистора по току при его включении по схеме с общей базой. Так как ; то

 

 

 

Рис. 1

Задача 2. По выходным характеристикам транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (рис. 1), для точки М, характеризующейся U_КЭ=15 В и током I_б =300 мкА. Определить выходную проводимость h₂₂.

Решение. 1. Находим заднюю точку М на семействе выходных характеристик транзистора (рис. 9).

2. Строим треугольник абс таким образом, чтобы точка М была на середине гипотенузы этого треугольника. Из треугольника абс находим аб= ∆U_КЭ=20-10=10 В; бс=∆I_К=24-21=3 мА

Используя формулу при

Находим (Сименс) См.

 

Задача 3. По выходным характеристикам транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (рис. 2) определить графическим путем входное сопротивление транзистора h₁₁ для точки А, характеризующейся напряжением U_КЭ=0 и током базы I_б=0,12 мА.

Решение. 1. Находим заднюю точку А на семействе выходных характеристик транзистора (рис. 2).

2. Строим прямоугольный треугольник абс каким образом, чтобы точка А оказалась на середине гипотенузы этого треугольника, а прямой угол оказался на соседней входной характеристике.

3. Из построения видно, что отрезок , а отрезок

 

 

Рис. 2 Рис. 3

Входное сопротивление при U_ЭК=const

 

Задача 4. По выходным характеристикам транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (рис. 3) определить графическим путем коэффициент обратной связи h₁₂ для точки А, характеризующейся напряжением U_КЭ =0 и током базы I_б =4мА.

Решение. 1. Находим заднюю точку А на семействе выходных характеристик транзистора (рис. 3).

2. Через точку А проводим линию, параллельную оси абсцисс, до пересечения с соседней характеристикой.

3. Из построения можно определить:

∆U_КЭ=5-0=5 В; ∆ U_бэ=0,85-0,76=0,09 В

при I_б=const

 

ВОПРОСЫ К ЗАДАНИЮ №1

Вопрос №1

Вариант	Вопрос
	Электроны в твердых телах.
	Собственная электронная и дырочная электропроводность.
	Примесная электропроводность.
	Электронно-дырочный переход.
	Переход металл-полупроводник.
	Приборы с гетерогенными переходами.
	Вольамперная характеристика полупроводникового диода.
	Емкость и температурные свойства полупроводниковых диодов.
	Применения полупроводниковых диодов для выпрямления переменного тока. Схемы выпрямления.
	Физические процессы в биполярном транзисторе.

 

Вопрос №2

Вариант	Вопрос
	Основные типы полупроводниковых диодов.
	Полупроводниковые стабилитроны. Характеристики. Схемы включения.
	Варикапы. Характеристики схемы включения.
	Туннельные диоды. Характеристики. Область применения.
	Фото и светодиоды. Характеристики. Область применения.
	Характеристики и параметры биполярных транзисторов.
	Полевые транзисторы. Характеристики. Параметры.
	Тиристоры. Характеристики. Параметры. Область применения.
	Оптоэлектронные приборы.
	Полупроводниковые резисторы.