Формальная схема замещения полевого транзистора и ее дифференциальные параметры

Полевой транзистор, как и биполярный, можно представить в виде активного четырехполюсника и при работе с сигналами малых амплитуд характеризовать формальной схемой замещения и ее дифференциальными параметрами. На практике в качестве дифференциальных параметров используют у-параметры, в общем случае это комплексные функции частоты, а в частности на низкой частоте, это вещественные величины. К ним относятся:

1) крутизна стокозатворной ВАХ полевого транзистора

; (4.8)

 

2) входная проводимость полевого транзистора

, (4.9)

 

на низких частотах близка к нулю;

3) выходная проводимость

(4.10)

Часто при расчетах схем на полевых транзисторах используют выходное сопротивление Ri = 1/Y22, которое для области насыщения у маломощных транзисторов равно 10 - 100 кОм. Кроме того, полевой транзистор можно характеризовать статическим коэффициентом усиления

(4.11)

Здесь знак минус означает, что для сохранения неизменной величины тока стока при определении знаки приращений напряжений Ucи и Uзи должны быть разными.


Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:  



double arrow
Сейчас читают про: