У нас в стране обширна номенклатура выпускаемых интегральных микросхем. Для построения устройств автоматики и вычислительной техники широкое применение находят цифровые микросхемы серии К155, которые изготавливают по стандартной технологии биполярных микросхем транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ). Имеется свыше 100 наименований микросхем серии К155. При всех своих преимуществах - высоком быстродействии, обширной номенклатуре, хорошей помехоустойчивости - эти микросхемы обладают большой потребляемой мощностью. Поэтому им на смену выпускают микросхемы серии К555, принципиальное отличие которых - использование транзисторов с коллекторными переходами, зашунтированными диодами Шоттки. В результате транзисторы микросхем серии К555 не входят в насыщение, что существенно уменьшает задержку выключения транзисторов. К тому же они значительно меньших размеров, что уменьшает емкости их p-n-переходов. В результате при сохранении быстродействия микросхем серии К555 на уровне серии К155 удалось уменьшить ее потребляемую мощность примерно в 4...5 раз.
|
|
Дальнейшее развитие микросхем серий ТТЛ - разработка микросхем серии КР1533. Основное эксплуатационное отличие их от схем серии К555 - в 1,5...2 раза меньше потребляемая мощность при сохранении и повышении быстродействия.
Средняя задержка распространения элементов микросхем серии К155, К555, КР1533 примерно 15...20 нс. В случаях, когда требуется более высокое быстродействие, используют микросхемы серии КР531. Для сравнения основных параметров в таблице 1 приведены значения средней потребляемой мощности Рср. и средней задержки tз.ср распространения микросхем ТТЛ указанных серий, а также стандартные значения входных Iвх и выходных Iвых токов и нагрузочной способности N указанных серий микросхем. Некоторые микросхемы допускают большие выходные токи и имеют большую нагрузочную способность, чем указано в таблице 1. Часть микросхем (особенно серии КР531) также имеют отличные от стандартных входные токи. Эти отличия специально указаны далее.
Таблица 1
Серия микросхем Серия микросхем | ||||
Параметр | К155 | К555 | KP1533 | КР531 |
Рср, мВт | 1.2 | |||
Tз.ср. нс | ||||
I°вх. мА | 1,6 | 0,4 | 0.2 | |
I1вх, мА | 0,04 | 0,02 | 0,01 | 0,05 |
I°вх. мА | ||||
I1вых. мА | 0,4 | 0,4 | 0,4 | |
N |
Стандартные выходные уровни лог. 1 составляют 2,4...2,7 В, лог. О – 0,36..0,5 В.
Напряжение питания микросхем серий ТТЛ 5 В ±5%, для серии КР1533 допуск на напряжение питания ±10%.
Микросхемы выпускают в пластмассовых корпусах с 8, 14, 16, 20, 24, 28 выводами, температурный диапазон их работоспособности: -10...+70 0С. Часть микросхем серий К155 и К555 выпускают в керамических корпусах (их обозначение КМ155 и КМ555), температурный диапазон работоспособности таких микросхем -45...+85 °С.
|
|
На рисунке 2 приведены зависимости выходного напряжения от входного для инвертирующих логических элементов упомянутых серий микросхем при температуре +20 0С. Поскольку за порог переключения принимается входное напряжение, при котором выходное равно ему, его нетрудно найти по приведенным зависимостям как точку пересечения с прямой Uвых = Uвх. Из рисунка видно, что микросхемы серии КР1533 имеют наибольший порог переключения - 1,52 В и, как следствие, наибольшую помехоустойчивость.
Рассматриваемые серии имеют в своем составе однотипные микросхемы с совпадающими после номера серии цифробуквенными обозначениями. Логика работы однотипных микросхем, за редким исключением, отмеченным далее, совпадает. Микросхемы серии КР531 ранее не имели в обозначении буквы «Р», а имели в конце обозначения букву «П», например К531ЛАЗП.
Рисунок 2. Зависимость выходного напряжения от входного для инверторов серий ТТЛ |
В таблице 2 приведены обозначение большинства рассматриваемых микросхем, функциональное назначение, число выводов корпуса, средняя потребляемая мощность, средняя задержка распространения сигнала и номер рисунка, на котором приведено графическое обозначение микросхемы.
В функциональном назначении буквы означают: ОК – микросхемы имеют выход с открытым коллектором, ОЭ - с открытым эмиттером, Z — выходы могут переводиться в высокоимпедансное состояние.
Литература:
Анисимов М.В. Элементы электронной аппаратуры и их использование К.: Высшая школы, 1997, 161 – 169.