График 4.
Рассчитать критическую концентрацию вырождения донорной примеси
. В и
7.Рассчитать равновесную концентрацию основных и неосновных носителей тока в p-n и n – областях p-n перехода при температуре Т=300К. Полагая, что примесь полностью ионизирована, считать и равным концентрации соответствующей примеси
Концентрация неосновных носителей найти из закона действующих масс в и перевести в .
Найти высоту потенциального барьера равновесного p-n-перехода и контактную разность потенциалов
9. Найти положение уровней Ферми в p-n-перехода и n-областях относительно потолка зоны проводимости и дна валентной зоны соответственно.(Т=300К)
а)
б)
В) определить высоту потенциального барьера p-n-перехода (проверка правильности п.8)
10. Найти толщину p-n-перехода в равновесном состоянии (Т=300К)
Определить толщину пространственного заряда в p-n-областях
Построить в масштабе график 5 «Энергетическая диаграмма p-n-перехода в равновесном состоянии»
|
|
График 5.
13. Найти максимальную напряженность электрического поля в равновесном p-n-переходе. Построить график 6 «Зависимость напряженности электростатического поля от расстояния в p-n-переходе»
График 6.
Найти падение потенциала в p-n-областях пространственного заряда p-n-перехода
Построить график 6 «Зависимость потенциала в p-n-областях от расстояния»
Задать 5 значений Хр через равные интервалы и вычислить 5 значений .
Задать 5 значений Хn через равные интервалы и вычислить 5 значений .
Таблица 9.
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | |
Xp*1E-7 | 0,245902211 | 0,491804423 | 0,737706634 | 0,983608846 | 1,229511057 |
φp | 0,014588944 | 0,058355776 | 0,131300495 | 0,233423102 | 0,364723597 |
Xn*1E-7 | -0,122951106 | -0,245902211 | -0,368853317 | -0,491804423 | -0,614755529 |
φn, в | -0,007294472 | -0,029177888 | -0,065650248 | -0,116711551 | -0,182361799 |
График 7.
16. Вычислить барьерную емкость p-n-перехода расчете на S=1 см² для трех случаев
А) равновесное состояние p-n-перехода
б) при обратном смещении V=1 В
в) при прямом смещении V=0.8 Vk