Усилители на транзисторах по сравнению с ламповыми имеют значительно меньшие габариты и вес и потребляют меньше электроэнергии.
Раньше мы говорили, что для обеспечения рабочего режима транзистора к нему нужно подвести напряжение от двух источников: один подключается к эмиттеру и базе, другой—к базе и коллектору. Но в реальных схемах можно использовать один источник, а нужный режим получить с помощью резисторов. На рис. 32, а изображена схема питания транзистора типа р— п — р от одного источника постоянного тока. Положительный полюс источника подключен к эмиттеру, а отрицательный — к коллектору через резистор r н, являющийся нагрузкой транзистора. Нужное смещение на базе транзистора создается делителем напряжения, который состоит из последовательно соединенных резисторов r1 и r2, подключенных так, как показано на схеме. Величина смещения зависит от соотношения сопротивления резисторов r1, r 2.
Рис. 32. Схемы включения транзистора:
а — с питанием от одного источника тока; б — с температурной стабилизацией.
|
|
Как известно, параметры транзисторов в большой степени зависят от температуры окружающей среды, поэтому и аппаратура, в которой в качестве усилительных элементов используются транзисторы, также будет иметь разные характеристики при эксплуатации в различных температурных условиях. Это вызывает необходимость принимать меры, которые уменьшили бы или совсем исключили влияние температуры на свойства транзисторов или, как говорят, стабилизировали режим работы транзисторов.
Существует несколько способов температурной стабилизации. Одним из них является включение между эмиттером и положительным полюсом источника питания резистора r э (рис. 32, б). Пусть при данной температуре от положительного полюса источника в цепи эмиттера течет ток I э, которому будет соответствовать определенная величина коллекторного тока I к. Если резистор в цепи эмиттера отсутствует, то изменение температуры вызывает изменение токов I к и I э, т. е. нарушается режим работы транзистора. В том случае, если в цепь эмиттера включен резистор r э, увеличение коллекторного тока вызывает увеличение тока эмиттера и на резисторе r э возникает дополнительное падение напряжения Ua = Iэ r э, причем полярность этого падения напряжения обратнаполярности источника. Поэтому напряжение между эмиттером и коллектором уменьшится и токи I к и IЭ не изменятся или изменятся очень мало. Параллельно резистору r э включается конденсатор Сэ большой емкости, который не допускает падения напряжения на резисторе r э от переменной составляющей тока, текущего через транзистор. Температурной стабилизации способствует также наличие делителя напряжения r1 — r 2.
|
|
Рис. 33. Основные схемы включения транзисторов:
а — с общим основанием; б — с общим эмиттером; в — с общим коллектором.
В схемах с транзисторами один из электродов является общим и для входной и для выходной цепи. В зависимости от того, какой из электродов транзистора будет общим, различают схемы усилителей с общим эмиттером, общей базой или с общим коллектором (рис. 33).
Схема с общим эмиттером дает наибольшее усиление по мощности и по току. Схема с общим коллектором дает меньшее усиление, но имеет целый ряд достоинств по сравнению с другими схемами. Эти две схемы в основном и используются в транзисторных усилителях, а схема с общим коллектором используется значительно реже.
Схема усилительного каскада с применением транзистора р — п —р приведена на рис. 34, а. Транзистор Т включен по схеме с общим эмиттером. Для обеспечения температурной стабилизации в цепь эмиттера включен резистор r3, а необходимый потенциал основания создается делителем напряжения r1 — r2. Резистор гн является нагрузкой для транзистора.
Напряжение входного сигнала Uвх подаётся на базу, а выходное напряжение Uвых снимается с коллектора. Этот усилительный каскад можно сравнить с усилительным каскадом на триоде, причем эмиттер соответствует катоду, коллектор — аноду, а база транзистора выполняет роль управляющей сетки триода.
У двухкаскадного усилителя (рис. 34, б) связь между каскадами (так же как и в ламповых усилителях) может быть емкостной и трансформаторной. Емкостная связь осуществляется с помощью разделительного конденсатора Ср. Сигнал, подлежащий усилению, подается на базу транзистора первого каскада, а затем через разделительный конденсатор Ср поступает на базу транзистора второго каскада.
Рис. 34. Схемы усилителей на транзисторах:
а — однокаскадная; б — двухкаскадная.
Трансформаторная связь между каскадами осуществляется с помощью разделительного трансформатора (рис. 35).
Приведенные схемы усилителей служат для усиления напряжения. Схемы усилителей мощности аналогичны рассмотренным, но в них используются транзисторы большой мощности.
Рис. 35. Схема двухкаскадного транзисторного усилителя с трансформаторной связью.
Мощные транзисторные усилители, так же как и ламповые, выполняются по двухтактной схеме, причем связь двухтактного выходного каскада с каскадами усиления может быть как емкостной, так и трансформаторной. Для согласования сопротивления нагрузки транзисторов с сопротивлением подключаемого к ним устройства применяются выходные трансформаторы.
Для получения более качественных показателей в усилителях применяются обратные связи. Обратная связь — это подача части выходной величины на вход устройства. Если колебания, подаваемые через цепи обратной связи, совпадают по фазе с колебаниями входного сигнала, то такая обратная связь называется положительной. Она применяется для увеличения усиления, создаваемого усилителем. В том случае, когда сигналы обратной связи находятся в противофазе по отношению к входному сигналу, обратная связь называется отрицательной. Отрицательная обратная связь применяется для уменьшения всех видов искажений, возникающих при работе усилителя. Однако, улучшая качество усиления, она вместе с тем понижает коэффициент усиления усилителя.