2020-07-12
112
1. Получить у лаборанта диод Шоттки или тестовую структуру и подсоединить их к измерительному стенду.
2. Поставить переключатель 4 в положение «Прямая ветвь ВАХ». Измерить токи через контакт металл–полупроводник в зависимости от приложенного напряжения. Напряжение должно варьироваться от 0 до 1,5 В с шагом 0,1 В.
3. Поставить переключатель 4 в положение «Обратная ветвь ВАХ». Измерить токи через контакт металл–полупроводник в зависимости от приложенного напряжения. Напряжение должно варьироваться от 0 до U обр с шагом 1 В. U обр – это обратное напряжение, при котором ток через контакт достигает значения 50 мкА.
4. Построить по экспериментальным значениям ВАХ контакта.
5. Построить в полулогарифмическом масштабе прямую ветвь ВАХ.
6. По методике, представленной на рис. 2.5, определить ток насыщения I0 и коэффициент идеальности n.
7. По формуле (2.5) рассчитать высоту барьера контакта.
СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА
1. Цель работы.
2. Основные расчетные формулы.
3. Схема измерения характеристик контакта.
|
|
|
4. График ВАХ контакта.
5. Результаты расчетов φВ, n, U обр.
6. Анализ полученных результатов, выводы.
КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
1. Каков механизм образования потенциального барьера?
2. От чего зависит высота барьера?
3. Какие существуют механизмы токопереноса через контакт металл–полупроводник?
4. Что такое показатель идеальности?
5. Какие методы определения φВ и n вы знаете?
6. В чем заключаются преимущества контактов с барьером Шоттки перед р - n -переходами?
7. Каковы области применения контактов с барьером Шоттки?
8. В чем состоит принцип работы полевого транзистора с барьером Шоттки на арсениде галлия?
ЛИТЕРАТУРА
1. Зи, С. М. Физика полупроводниковых приборов / С. М. Зи – М.: Мир, 1984. – 456 с.: ил.
2. Родерик, Э. Х. Контакты металл–полупроводник / Э. Х. Родерик. – М.: Радио и связь, 1982. – 208 с.: ил.
3. Ланин, В. Л. Формирование токопроводящих контактных соединений в изделиях электроники / В. Л. Ланин, А. П. Достанко, Е. В. Телеш. – Изд. центр БГУ, 2007. – 574 с.
Лабораторная работа №3
ИССЛЕДОВАНИЕ МЕХАНИЗМА И КИНЕТИКИ ПРОЦЕССА ИОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ
Цель работы: изучение основных закономерностей процесса ионного распыления материалов и исследование основных кинетических характе-ристик ионно-лучевого распыления.
