2020-06-29
323
Маркировка приборов осуществляется буквенно-цифровым кодом. Всего 5 элементов.
1 элемент маркировки – цифра или буква, обозначающая материал диода.
1 или Г – германий
2 или К – кремний
3 или А – арсенид галлия
2 элемент маркировки – буква, обозначающая класс прибора
Т– биполярный транзистор, П- полевой транзистор
3 элемент маркировки – цифра, определяющая параметры прибора (мощность, ток, диапазон частот)
4 элемент – двузначное число от 01 до 99, обозначающая номер разработки.
5 элемент маркировки – буква, указывающая разновидность технологического типа.
Например: КТ 361 В, КТ503Г 1П256 Е
Задачи
1. Определите входное сопротивление, коэффициенты усиления по току, по напряжению и по мощности для схемы включения биполярного транзистора с общей базой (ОБ), если α=0,98, ΔIвх=20 мА, ΔUвх=1,2 В, Rн=1800 Ом
2. Определите входное сопротивление, коэффициенты усиления по току, по напряжению и по мощности для схемы включения биполярного транзистора с общим эмиттером (ОЭ), если α=0,97, ΔIвх= 0,5 мА, ΔUвх= 1,5 В, Rн= 6 000 Ом
|
|
|
3. Определите входное сопротивление, коэффициенты усиления по току, по напряжению и по мощности для схемы включения биполярного транзистора с общим коллектором (ОК), если α=0,98, ΔIвх=0,05 мА, ΔUвх=10 В.
Вопросы
1. Какой полупроводниковый прибор называется биполярным транзистором?
2. Для каких целей можно использовать биполярный транзистор?
3. Как называются области (электроды) биполярного транзистора?
4. В чем заключается принцип действия биполярного транзистора?
5. Какие приборы имеют маркировки ГТ230А, КТ832Г, 1П756Б, АП614В
Тема 4 Полевые транзисторы
План
1. Из истории создания
2. Основные понятия, типы и области применения полевых транзисторов
3. Устройство, принцип действия и схемы включения полевых транзисторов с затвором в виде p-n- перехода
4. Устройство и принцип действия полевых транзисторов с изолированным затвором
Из истории создания
Патент на устройство, аналогичное униполярному ПТ с изолированным затвором, был получен английским учёным О. Хейлом в 1939 году, задолго до появления биполярного транзистора. В 1952 году Шокли дал теоретическое описание униполярного полевого транзистора, а в 1955 Дейси и Росс изготовили и провели аналитическое рассмотрение характеристик транзисторов, которые впоследствии получили название полевых транзисторов с управляющим p-n переходом.
В 1960 году М.Аталла и Д.Кант предложили использовать структуру металл – диэлектрик – полупроводник, в которой проводимость поверхностного канала изменялась в полупроводнике под действием напряжения, приложенного к металлическому электроду, изолированному тонким слоем окисла полупроводника.
Основные понятия и типы полевых транзисторов
