Транзистором (TRANSfer varISTOR – переходное (передача) нелинейное сопротивление) называется активный радиоэлемент, предназначенный для усиления, генерации электрических сигналов, а также коммутации электрических цепей. Различают биполярные, лавинные, однопереходные и полевые транзисторы.
Наиболее распространённые биполярные транзисторы и полевые транзисторы.
В однопереходных транзисторах (двухбазовых диодах) кристалл полупроводника разделяется p-n -переходом как бы на две области базы. Принцип действия транзистора основан на изменении объёмного сопротивления полупроводника базы при инжекции. В отличие от биполярных и полевых транзисторов однопереходный транзистор представляет собой прибор с отрицательным сопротивлением. Эти транзисторы часто используют в схемах импульсных генераторов.
Промышленность также выпускает лавинные транзисторы, в которых в области коллектора используется лавинное размножение носителей заряда (лавинный пробой). Для получения описанного эффекта Uкэ значительно повышают. Эти транзисторы используют для генерирования импульсов наносекундной длительности.
|
|
В настоящее время получил распространение ещё один тип транзистора IGBT, в русской транскрипции БТИЗ (биполярный транзистор с изолированным затвором), гибридный тип, где МОП (МДП) транзистор с переходом n- типа управляет базой биполярного транзистора. И это позволяет использовать преимущества обоих типов: большое быстродействие и большое входное сопротивление, как у полевых; большой электрический ток при очень малом напряжении насыщения и очень большое напряжение пробоя, как у биполярного.
Графическое изображение транзисторов.
Изображения транзисторов на функциональных и принципиальных схемах отражают только основные особенности, которые влияют на понимание работы схемы, например: биполярный транзистор структуры p-n-p и n-p-n, лавинный транзистор, полевые транзисторы и однопереходной транзистор (двухбазовый диод). Основные условные изображения диодов и тиристоров приведены на рис. 1.30.
Рис. 1.30. Условные графические обозначения транзисторов:
а — биполярный транзистор р-n-р -типа;
б — биполярный транзистор n-p-n -типа;
в — лавинный транзистор р-n-р -типа;
г — полевой транзистор с р-n переходом и каналом n -типа;
д — полевой транзистор с р-n переходом и каналом р -типа;
е — полевой транзистор с изолированным затвором и встроенным р -каналом обогащенного типа;
ж — полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным n -каналом;
и — двухзатворный полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным р -каналом;
к — однопереходной транзистор с n -базой (двухбазовый диод);
л — IGBT (БТИЗ) транзистор.