Что называется потенциалом инверсии на поверхности полупроводника?

       Потенциалом инверсии на поверхности полупроводника φ_i называется поверхностный потенциал, соответствующий переходу в режим сильной инверсии. Для р – канального транзистора приповерхностная концентрация дырок становится равной равновесной концентрации электронов в глубине полупроводника или,что то же самое, концентрации доноров в подложке, для n -канального - концентрация электронов на поверхности равна концентрации акцепторов в глубине подложки.

  где NA – концентрация акцепторов в подложке, ni – собственная концентрация электронов в кремнии. для p –канала определяется аналогично через в подложке, но имеет отрицательный знак.

От чего зависит пороговое напряжение МОП транзистора?

Пороговое напряжение Un – напряжение на затворе, при котором происходит инверсия поздатворной проводимости и появляется ток стока.

       Пороговое напряжение состоит из трех составляющих: напряжения плоских зон ,

потенциала инверсии  и напряжения, создаваемого зарядом подложки , .