Чтобы снять вольтамперные характеристики транзистора в схеме ОЭ, необходимо собрать схему, представленную на рис. 7.3.
Рис. 7.3. Схема для снятия вольтамперных характеристик транзистора в схеме ОЭ
Схема содержит два источника питания: -ЕБЭ для базовой и -ЕКЭ для коллекторной цепи. Для изменения напряжения на базе предназначен переменный резистор R1, а на коллекторе – R2. Вольтметры и амперметры измеряют напряжения и токи базы и коллектора.
Для схемы ОЭ входная характеристика определяется выражением
, (7.3)
а выходная
. (7.4)
Графики статических характеристик для схемы ОЭ представлены на рис. 7.4.
Рис. 7.4. Статические характеристики транзистора в схеме ОЭ
Семейство входных статических характеристик для открытого перехода база-эмиттер также напоминает прямую ветвь вольтамперной характеристики диода. До порогового напряжения переход закрыт, и ток не проходит. При U КЭ = 0 переход коллектор-эмиттер замкнут накоротко (резистор R2 в нижнем по схеме положении), и не влияет на ток базы I Б. С увеличением U КЭ происходит уменьшение толщины базы (эффект Эрли), вследствие чего ток базы начинает уменьшаться. Повышается входное сопротивление транзистора, входная характеристика смещается вправо.
|
|
Семейство выходных статических характеристик также напоминает обратную ветвь вольтамперной характеристики диода, но отличается от вида выходных характеристик схемы ОБ. При U КЭ = 0 ток коллектора тоже равен нулю, независимо от величины тока базы I Б. Это объясняется тем, что под воздействием Е БЭ из эмиттера в базу проходит малое число зарядов, которые все рекомбинируют в базе и не проходят в коллектор. В области малых напряжений на коллекторе (1…1,2 В) транзистор находится в режиме насыщения.
С увеличением напряжения на коллекторе U КЭ всё больше зарядов проникает из эмиттера в коллектор, ток коллектора возрастает. На графике выходных характеристик это видно сначала по резкому увеличению тока в области малых напряжений на коллекторе, затем по плавному увеличению тока в области средних напряжений и искривлению характеристик в области больших напряжений на коллекторе. Отсюда можно сделать вывод, что выходное сопротивление транзистора в схеме ОЭ получается значительно меньше, чем в схеме ОБ.