1. Бойко В.И. и др. Схемотехника электронных систем. Аналоговые и импульсные устройства / В.И. Бойко, А.Н. Гуржий, В.Я. Жуйков, А.А. Зори, В.М. Спивак. – СПб.: БХВ-Петербург, 2004. – 496 с.
2. Бочаров Л.Н. Полевые транзисторы. - 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Радио и связь, 1984. – 80 с.
3. Булычев А.Л. Аналоговые интегральные схемы: Справочник / А.Л. Булычев, В.И. Галкин, В.А. Прохоренко. – 2-е изд., перераб. и доп. – Мн.: Беларусь, 1993. – 382 с.
4. Горюнов Н.Н. Полупроводниковые приборы. Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы: Справочник / А.В. Баюков, А.Б. Гитцевич, А.А.Зайцев и др.; Под ред. Н.Н. Горюнова. – М.: Энергоиздат, 1982. – 744 с.
5. Гусев В.Г. Электроника и микропроцессорная техника: учебник для ВУЗов / В.Г. Гусев, Ю.М. Гусев. – М.: Высш. шк., 2006. – 799 с.
6. Дзюбин И.И. Запираемые тиристоры и их применение. – М.: Энергия, 1976. – 40 с.
7. Диоды: Справочник / О.П. Григорьев, В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, С.Л. Пожидаев. – М.: Радио и связь, 1990. – 656 с.
8. Евсеев Ю.А., Крылов С.С. Симисторы и их применение в бытовой электроаппаратуре. – М.: Энергоатомиздат, 1990. – 120 с.
9. Замятин В.Я. и др. Мощные полупроводниковые приборы. Тиристоры: Справочник / В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, В.М. Петухов. – М.: Радио и связь, 1987. – 576 с.
10. Игнатов А.Н. Полевые транзисторы и их применение. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Радио и связь, 1984. – 216 с.
11. Либерман Ф.Я. Электроника на железнодорожном транспорте: Учебное пособие для вузов ж.д.транспорта. – М.: Транспорт, 1987. – 288 с.
12. Майер Р.В. Практическая электроника: от транзистора до кибернетической системы. – Глазов: изд-во ГГПИ, 2011. – 93 с.
13. Марголин В.И. Физические основы микроэлектроники: учебник для студ. высш. учеб. заведений / В.И. Марголин, В.А. Жабрев, В.А. Тупик. – М.: Издательский центр «Академия», 2008. – 400 с.
14. Москатов Е.А. Электронная техника. Специальное издание для журнала «Радио». – Таганрог: электронное издание, 2004. – 121 с.
15. Опадчий Ю.Ф. и др. Аналоговая и цифровая электроника (Полный курс): Учебник для вузов / Ю.Ф. Опадчий, О.П. Глудкин, А.И. Гуров; под ред. О.П. Глудкина. – М.: Горячая линия - Телеком, 2000. – 768 с.
16. Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности: Справочник / А.А. Зайцев, А.И. Миркин, В.В. Мокряков и др.; Под ред. А.В. Голомедова – М.: Радио и связь, 1989. – 640 с.
17. Прянишников В.А. Электроника: полный курс лекций / В.А. Прянишников. – СПб.: Корона принт, 2006. – 416 с.
18. Ровдо А.А. Полупроводниковые диоды и схемы с диодами. – М.: Лайт Лтд., 2000. – 288 с.
19. Резисторы, конденсаторы, трансформаторы, дроссели, коммутационные устройства РЭА: Справ. / Н.Н. Акимов, Е.П. Ващуков, В.А. Прохоренко, Ю.П. Ходорёнок – Мн.: Беларусь. 1994. – 591 с.
20. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. – 4-е изд., перераб. и доп. – М.: Энергия, 1977. – 672 с.
21. Ткаченко Ф.А. Техническая электроника. – Мн.: Дизайн ПРО, 2002. – 368 с.
22. Терехов В.А. Задачник по электронным приборам: Учебное пособие. 3-е изд., перераб. и доп. – СПб.: Издательство «Лань», 2003. – 280 с.
ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ......................................................................................................... 4
Лекция 1. Полупроводниковые материалы, конструкция и свойства p-n перехода 7
1.1. Полупроводниковые материалы............................................................. 7
1.2. Получение односторонней проводимости.............................................. 8
1.3. Виды пробоя p-n перехода.................................................................... 10
1.4. Ёмкости p-n перехода............................................................................ 11
1.5. Конструктивное исполнение p-n перехода............................................ 12
Лекция 2. Полупроводниковые диоды, основные параметры и классификация. режим нагрузки полупроводниковых диодов. Графический и аналитический методы расчёта схем.................................................................................................................... 14
2.1. Полупроводниковые диоды.................................................................. 14
2.2. Классификация и система обозначения полупроводниковых диодов. 15
2.3. Режим нагрузки полупроводниковых диодов...................................... 16
Лекция 3. Применение полупроводниковых диодов. Однофазные выпрямители 20
3.1. Классификация и основные параметры выпрямителей........................ 20
3.2. Однофазный однополупериодный выпрямитель................................. 20
3.3. Однофазный двухполупериодный выпрямитель................................. 25
3.3. Однофазный мостовой выпрямитель.................................................... 27
Лекция 4. Сглаживание пульсаций выпрямленного напряжения. Работа выпрямителей на активно-ёмкостную нагрузку. Схемы с умножением напряжения................. 31
4.1. Пульсации выпрямленного напряжения............................................... 31
4.2. Сглаживающие фильтры....................................................................... 31
4.3. Работа выпрямителя на ёмкостный фильтр.......................................... 33
4.4. Схемы с умножением напряжения........................................................ 36
4.5. Внешняя характеристика выпрямителя с ёмкостным фильтром......... 39
Лекция 5. Полупроводниковые стабилитроны. Параметры, классификация, анализ работы схемы параметрического стабилизатора напряжения....................... 40
5.1. Основные параметры стабилитронов................................................... 40
5.2. Классификация и система обозначения стабилитронов....................... 41
5.3. Параметрический стабилизатор напряжения....................................... 42
5.4. Анализ работы схемы параметрического стабилизатора напряжения 43
Лекция 6. Транзисторы биполярные. Классификация, система обозначений, принцип действия, основные параметры, схемы включения и режимы работы........... 46
6.1. Биполярные транзисторы...................................................................... 46
6.2. Принцип действия биполярного транзистора...................................... 47
6.3. Схемы включения биполярного транзистора и их основные параметры 50
6.4. Режимы работы транзистора................................................................. 51
Лекция 7. Статические характеристики транзисторов.................................... 53
7.1. Статические характеристики транзистора в схеме ОБ......................... 53
7.2. Статические характеристики транзистора в схеме ОЭ......................... 54
7.3. Статические характеристики транзистора в схеме ОК......................... 56
Лекция 8. Работа транзистора в режиме нагрузки. Схема однокаскадного усилителя. Классы усиления............................................................................................... 58
8.1. Работа транзистора в режиме нагрузки................................................ 58
8.2. Схема однокаскадного транзисторного усилителя.............................. 59
8.3. Класс усиления А................................................................................... 60
8.4. Класс усиления В................................................................................... 62
8.5. Класс усиления С................................................................................... 64
8.6. Класс усиления D (ключевой режим работы транзистора)................. 65
Лекция 9. Влияние температуры на работу транзистора в режиме нагрузки. Схемы термостабилизации........................................................................................... 68
9.1. Схема термостабилизации с ООС по току базы................................... 69
9.2. Схема термостабилизации с ООС по напряжению база-эмиттер........ 70
Лекция 10. Влияние частоты усиливаемого сигнала на работу транзистора. Частотные характеристики однокаскадных транзисторных усилителей......................... 73
10.1. Влияние частоты усиливаемого сигнала на работу транзистора...... 73
10.2. Схема и амплитудно-частотная характеристика усилителя ОЭ........ 75
10.3. Схема и амплитудно-частотная характеристика усилителя ОК........ 76
10.4. Схема и амплитудно-частотная характеристика усилителя ОБ......... 77
Лекция 11. Двухкаскадные усилители............................................................. 79
11.1. Двухкаскадный усилитель ОЭ-ОЭ...................................................... 79
11.2. Двухкаскадный усилитель ОК-ОЭ (схема Дарлингтона)................... 80
11.3. Двухкаскадный усилитель ОЭ-ОБ (каскодный усилитель)................ 80
11.4. Дифференциальный усилитель............................................................ 81
Лекция 12. Полевые транзисторы. Классификация, принцип действия, основные параметры, схемы включения и режимы работы............................................ 84
12.1. Классификация полевых транзисторов............................................... 84
12.2. Устройство и принцип действия полевых транзисторов с управляющим p-n переходом...................................................................................................... 85
12.3. Устройство и принцип действия полевых транзисторов с изолированным затвором........................................................................................................ 86
12.4. Основные параметры полевых транзисторов..................................... 88
12.5. Схемы включения полевого транзистора и их основные параметры 90
Лекция 13. Работа полевого транзистора в режиме нагрузки. Схема однокаскадного усилителя. Влияние температуры. Частотные и шумовые характеристики... 91
13.1. Работа полевого транзистора в режиме нагрузки.............................. 91
13.2. Влияние температуры на работу полевого транзистора................... 93
13.3. Частотные характеристики полевых транзисторов............................ 94
13.4. Шумовые характеристики полевых транзисторов............................. 95
Лекция 14. Тиристоры, принцип работы, классификация и основные параметры 97
14.1. Устройство и принцип работы тиристора.......................................... 97
14.2. Переходные процессы при открывании и закрывании тиристора.. 101
14.3. Влияние скорости нарастания прямого напряжения на работу тиристора 103
14.4. Классификация и система условных обозначений............................ 103
Лекция 15. Применение динисторов и не запираемых тиристоров. Генератор пилообразного напряжения. Регулируемый выпрямитель. Закрывание тиристора в цепи постоянного тока............................................................................................. 105
15.1. Генератор пилообразного напряжения (ГПН)................................. 105
15.2. Схема управления тиристором......................................................... 106
15.3. Применение тиристоров. Управляемый выпрямитель..................... 106
15.4. Закрывание тиристора в цепи постоянного тока.............................. 110
Лекция 16. Запираемые тиристоры. Симметричные тиристоры – симисторы 112
16.1. Запираемые тиристоры...................................................................... 112
16.2. Симметричные тиристоры – симисторы........................................... 114
16.3. Применение симисторов. Регулятор переменного напряжения...... 115
Лекция 17. Светодиоды. Фотодиоды. Оптоэлектронные устройства........... 118
17.1. Светодиоды........................................................................................ 118
17.2. Фотодиоды......................................................................................... 121
17.3. Оптроны............................................................................................. 123
Лекция 18. Аналоговые интегральные микросхемы..................................... 125
18.1. Классификация аналоговых интегральных микросхем................... 125
18.2. Применение аналоговых интегральных микросхем......................... 126
Библиографический список......................................................................... 131