Процессы легирования, а также наращивания слоёв различных материалов призваны сформировать вертикальную физическую структуру ИМС. Необходимые форма и размеры элементов и областей в каждом слое структуры обеспечиваются процессом фотолитографии.
Фотолитография - процесс избирательного травления поверхностного слоя с использованием защитной фотомаски.
На рис. приведена укрупнённая структурная схема процесса фотолитографии. Отдельные этапы на схеме включают в себя несколько операций. Ниже в качестве примера приведено описание основных операций при избирательном травлении оксида кремния (SiO2), которое используется многократно и имеет целью создание окон под избирательное легирование, а также контактных окон.
Таблица 3. Формы приконтактных областей полупроводниковых резисторов и номограммы для определения коэффициента k.
Топология приконтактных областей полупроводниковых резисторов | Номограммы для определения коэффициента k. |
Рис. Укрупненная схема процесса фотолитографии.
|
|
Подготовка поверхности к нанесению фотослоя заключается в её обработке парами органического растворителя для растворения жировых плёнок, которые препятствуют последующему сцеплению фоторезиста с поверхностью. Отмывка сверхчистой (деионизованой) водой удаляет следы растворителя; а также микрочастицы, способные впоследствии образовать "проколы" в тонком (»1 мкм) слое фоторезиста.