2014-02-17
502
Расчет эмиттерной схемы
Для проведения расчета вначале следует определить потенциал на базе транзистора VT:
,
где 
— напряжение база-эмиттер в рабочей точке, 
=(0,6...0,8) В (для кремниевых транзисторов).
Далее необходимо задаться током делителя, образованного резисторами R б1 и R б2:
,
где 
— ток базы в рабочей точке, 
.
При отсутствии в схеме сопротивления 
определяют сопротивление R э. и номиналы резисторов R б1 и R б2:
; 
; 
.
Для схемы, вместо сопротивления 
следует взять 
.
Применение сопротивления обратной связи 
позволяет снизить коэффициент гармоник, а при шунтировании его конденсатором осуществить частотную коррекцию.
Приведем расчет значения сопротивления 
, служащего для снижения коэффициента гармоник.
Для этого зададимся вначале допустимым коэффициентом гармоник каскада
.
Сопротивление обратной связи 
определится из выражения:
,
где 
— амплитуда коллекторного тока;
— амплитудное значение напряжения на нагрузке, согласно технического задания; 
— температурный потенциал,
|
|
|
=25,6×10
В;
— ток эмиттера в рабочей точке.
Определив сопротивление обратной связи значение сопротивления в цепи эмиттера можно найти по выражению
.
Коэффициент усиления каскада определится из выражения:
.
Далее необходимо определить характеристики термостабильности каскада. Для этого необходимо произвести следующие вычисления. На увеличение тока коллектора I к0 под действием температуры влияют три основных фактора: увеличение напряжения смещения U бэ0; увеличение обратного тока коллекторного перехода I кбо и коэффициента передачи по току транзистора с ОЭ 
.
