Это сопротивление определяется по классической формуле: , где – объем базы транзистора. Зависимость сопротивления базы от режима и температуры показана на рис. 5.7. Зависимость от напряжения на коллекторе выражена слабо и проявляется как эффект модуляции базы. Зависимость от тока связана с зависимостью удельного сопротивления от тока инжекции. Зависимость от температуры объясняется зависимостью удельного сопротивления от температуры.
Приближенно оценить сопротивление базы можно воспользовавшись формулой коэффициента обратной связи:
; ; .
Так как , то .