Имеется кремниевый транзистор типа р+-п-р с параметрами: W = 1 мкм; А = 3 мм2; ; ; Напряжение пробоя в схеме ОЭ Вычислите:
а) толщину нейтральной области W бв базе;
б) концентрацию pn (0) для неосновных носителей около перехода эмиттер – база;
в) заряд Q бнеосновных носителей в области базы;
г) составляющие токов
д) и
е) эффективность эмиттера, коэффициенты передачи тока в схемах ОБ и ОЭ;
ж) объясните, как можно улучшить параметры и ;
з) напряжение в схеме ОЭ, считая, что a = 5.
Положите, что ni = 1,45 .
Решение:
а) Переход эмиттер–база:
В;
мкм.
Переход база – коллектор:
В;
мкм;
мкм.
б)
в)
г) Область базы:
Область эмиттера:
Область коллектора:
Составляющие токов:
д)
е)
ж) Чтобы повысить коэффициент , концентрацию примесей в эмиттере следует сделать значительно более высокой, чем в базе. Значение параметра будет увеличено, если толщина базы будет малой по сравнению с толщиной эмиттера.
з)
Полагая, что получаем
В.
Приложение
Образец оформления титульного листа
КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
_________________________________________________
Кафедра промышленной электроники
Контрольная работа №1
по Основам технологии электронной компонентной базы
Выполнил студент _______________________________ ________________
Ф.И.О подпись
Дата ________________
Группа ________________
Шифр студента ________________
Адрес студента __________________________________ ________________
____________________________________________________
Проверил преподаватель ____________________________________________
Ф.И.О подпись