1. Стока-затворные (или передаточные) (рисунок 1.42 б):
I c = f (U з-и) / U c-и = const.
2. Стоковые (или выходные) (рисунок 1.42 а):
I c = f (U c-и) / U з-и = const.
Выходная характеристика показывает, что с увеличением U cи ток стока I c начала растет довольно быстро, а затем это нарастание замедляется, т. е. наступает насыщение. Именно в этой области насыщения, на пологих участках и происходит работа транзистора.
Рисунок 1.41 – характеристики полевых транзисторов с p-n- переходом |
При подаче большего отрицательного U з-и ток стока I c уменьшается и характеристика проходит ниже.
Дальнейшее повышение U cи приводит к электрическому пробою p-n- перехода и I c начинает лавинно возрастать.
|
|
Параметры.
1. Крутизна S = | U си = const характеризует управление действия затвора. Например, S = 3 мA / B означает, что изменение U з-и на 1В создает изменение тока стока на 3 мA.
2. Внутренне (выходное) сопротивление Ri = | U ç−è , т. е. это сопротивление транзистора между стоком и истоком.
3. Коэффициент усиления M = − | I c = const, показывает, во сколько раз сильнее на I c действует изменение U зи, по сравнению с U cи. Т. е. выражается отношением таких изменений напряжений, которые компенсируют друг друга по действию на I c. Для такой компенсации напряжения должны иметь разные знаки, отсюда знак минус.
M = S · Ri и имеет значения от сотни до тысячи на пологом участке.
4. Входные сопротивления R âõ = | U си = const. Т. к. I з является обратным током p-n- перехода, значит он очень мал и R вх ≈ ед. – дес. МОм
5. Межэлектродные емкости:
- С зи – входная емкость – это барьерная емкость p-n- перехода.
- С зс – проходная емкость между З и С.
- С cи – выходная емкость.