Схема термического испарения в вакууме



1 - колпак

2 - нагреватель

3 - подложкодержатель

4 - подложка

5 - заслонка

6 - испаритель

7 - уплотнительная прокладка

8 - опорная плита установки

Под колпак загружаются подложки и напыляемое вещество. Затем подколпачное пространство откачивают вакуумным насосом до давления 10-4 Па. Это обеспечивает чистоту процесса и способствует созданию сплошного потока частиц в направлении подложек. Подложки нагревают до t ~ 300°С и проводят их отжиг для того, чтобы обеспечить чистоту подложек. Затем температуру подложек снижают до 100°С.

Процесс ведется при нагретых подложках, чтобы обеспечить хорошее качество напыляемой пленки. Затем включают нагреватель напыляемого вещества и нагревают это вещество до температуры испарения.

Первая порция вещества испаряется на заслонку для того, чтобы установился равномерный поток вещества и чтобы в пленку не попали посторонние частицы.

Затем заслонка открывается и ведется напыление вещества на подложку до необходимой толщины. Толщина контролируется специальным датчиком. После проведения процесса заслонку закрывают.




Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:  



double arrow
Сейчас читают про: