Если к p-n-переходу приложить внешнее электрическое поле на пряженностью Евн, положительным полюсом к области р, а отрицательным — к области n (рис. 3.1), то такое включение называется прямым. Внешнее электрическое поле, создаваемое в p-n-переходе при прямом включении, действует навстречу внутреннему полю p-n-перехода. Результирующее поле становится слабее, возрастает диффузионный ток, так как большее число носителей может преодолеть пониженный барьер, но также и потому, что уменьшается толщина запирающего слоя. Этот ток называется прямым.
Рис. 3.1. Схема прямого
включения p-n- перехода
|
Рис.3.2. Схема обратного
включения p-n- перехода
|
При обратном включении p-n перехода (рис.3.2), т.е. обратной полярности источника питания, через p-n переход протекает очень небольшой обратный ток Iобр. Это объясняется тем, что внешнее электрическое поле поле, создаваемое внешним напряжением Е
вн, складывается с внутренним полем Результирующее поле усиливается, и высота потенциального барьера увеличивается, диффузионное перемещение основных носителей через переход почти прекращается.
Через широкий запирающий слой проходит небольшой ток, вызванный перемещением неосновных носителей заряда, концентрация которых на несколько порядков меньше, чем основных носителей. Это дает возможность использовать электронно-дырочный переход для выпрямления переменного тока.
Рис. 4.1. Вольтамперная характеристика р-п-перехода
|