№ варианта | ||||||||||
Транзистор VT1 | 2N4856 | 2N4857 | 2N4858 | 2N4859 | 2N4860 | 2N4861 | 2N5452 | 2N5454 | 2N5433 | 2N5432 |
Транзистор VT2 | BST100 | BST110 | BST120 | BST122 | IRF5210 | IRF5305 | IRF7404 | IRF9530 | IRFI5210 | IRFI5305 |
№ варианта | ||||||||||
Транзистор VT1 | 2N2608 | 2N2609 | 2N4381 | 2N5018 | 2N5019 | 2N5020 | 2N5021 | 2N5114 | 2N5115 | 2N5116 |
Транзистор VT2 | IRF230N | IRF540N | BS170 | IRF1310 | IRF250 | IRF510 | IRF540 | IRF520 | IRF830 | IRF840 |
Контрольные вопросы
1. Основные отличия полевых транзисторов от биполярных.
2. Преимущества полевых транзисторов.
3. Устройство полевого транзистора с р-n переходом.
4. Основные процессы в полевых транзисторах.
5. Способы управления током в полевых транзисторах.
6. Отличие полевых и канальных транзисторов.
7. Устройство МДП-транзисторов.
8. Отличие МДП- и МОП-транзисторов.
9. Отличительные признаки МДП-транзисторов с индуцированным и встроенным каналом.
10. Режимы работы МДП-транзисторов.
11. Принцип действия МДП-транзисторов.
12. Роль подложки в МДП-транзисторах.
13. Пороговое напряжение и напряжение отсечки.
14. Схемы включения полевых транзисторов.
15. Изоляция рабочих областей МДП-транзисторов от подложки.
16. Управление МДП-транзистором через подложку.
17. Разновидности МДП-транзисторов.
Лабораторная работа № 6.
Исследование транзисторных усилительных схем