Полупроводниковые ИМС на биполярных структурах

Технология та же, однако каждый элемент и переход во избежание паразитных связей должен быть изолирован.

Способы изоляции:

1. Обратно смещенный p-n переход - этот метод простой, но изоляции не идеальны, образуется ток утечки и паразитная ёмкость.

Бывает разных вариантов:

а) Метод тройной диффузии - делается на базе фотолитографии.

б) Эпитаксиально - планарный - на кристалл кремния наносят эпитаксиальный слой чистого кремния, затем происходит операция окисления, фотолитографии, травления. Меняется проводимость эпитаксиального слоя до слияния с подложкой. Высокое качество изолирующего перехода.

в) Метод Коллекторно - изолирующей диффузии - В подложку бора методом фотолитографии наводится материал n-типа (мышьяк, фосфор и др.). Образуется коллекторная область. выполняется наращивание эпитаксиального слоя p-типа материала, всего 1-2 микрона. Избирательной диффузией p - эпитаксиальный слой вводится области с n - проводимостью до смыкания с коллекторной областью. Далее формируется область базы. Формируется область эмиттера. Формирование контактов.
Достоинства: простой, небольшая стоимость, выше процент годных микросхем, в 1,5-2 раза выше плотность размещения элементов на кристалле, наиболее распространенный чем эпитаксиально - планарный метод.

г) Метод получения ЕПИС технологии:

1. Окисление, фотолитография, избирательное травление SiO₂. То есть получаются окна в кремние.

2. Удаляется часть кремния в окнах и опять создается оксидная пленка SiO₂ и травится. Происходит изоляция внутри перехода, чтобы исключить утечку обратных токов.

Эта технология очень сложная, но зато высокое качество изоляции.

д) Декаль изоляционный метод - это изоляция воздушными зазорами.

е) КНС метод - кремний на сапфире. Сапфировая подложка.

ж) Изопланарная технология.

з) Комбинированная изоляция - снизу п-н переход, по бокам воздушные зазоры или оксидная пленка.

2. Изоляция диэлектрической пленкой. Этот метод дает практически идеальную изоляцию, но очень трудоёмкий.

3. Комбинированный метод - обратно смещенным p-n переходом и диэлектрической пленкой.