Полупроводниковые диоды – двухслойная структура, которая образуется в одном кристалле: один слой имеет электропроводимость типа n, другой – p. Эти слои разделены запирающим слоем, в котором сосредоточен пространственный заряд, положительно заряженный токами донорной примеси со стороны проводника n – типа и отрицательно заряженных ионов акцепторной примеси со стороны полупроводника p – типа. Эта структура называется n – p переходом или электронно – дырочным переходом.
Диод – двух электродный электронный прибор, обладающий различной проводимостью в зависимости от направления электрического тока. Электрод диода, подключаемый к положительному полюсу источника тока, когда диод открыт (то есть имеет маленькое сопротивление), называют анодом, подключаемый к отрицательному полюсу – катодом. Т.е. полупроводниковый диод может служить детектором, а также выпрямителем
переменного тока для питания электронных устройств. Обращение с полупроводниковым диодом требует осторожности, так как приложенное в непроводящем направлении напряжение не должно превышать некоторого предела. Выше этой величины создаваемый переходом потенциальный барьер разрушится – диод выйдет из строя.
Схематическое обозначение диода: