Б-Э Тм – открыт
Т2 и Т1 –закрыт
Т3 и Д – открыт
Выход – ВП
Открывается переход база – эмиттер транзистора Тм. Транзисторы Т2 и Т1 закрываются на базу Т3, через сопротивление R2 действует открывающее напряжение, что приводит к открытию Т3 и Д, на выходе высокий потенциал.
Случай 2. На обоих входах действует положительный сигнал.
Б-Э Тм – закрыт
Б-К Тм, Т2, Т1 -открыт
Т3 и Д – закрыт
Выход – НП
Как и ранее, переход б - э транзистора Тм закрывается, напряжение на базе насыщенного транзистора увеличивается до , что приводит к открытию транзистора Т1 и Т2 транзистор Т3 и диод закрываются.
Покажем, что во втором случае транзистор Т3 действительно закрыт.
, т.к. необходимо учитывать переход б – э транзистора Т3 и p-n переход диода Д.
Таким образом, на выходе действует остаточное напряжение на коллекторе насыщенного Т1, принимаемое за низкий потенциал. Транзистор Т2 предназначен для повышения нагрузочной способности и увеличения статической помехоустойчивости. Транзистор Т2 обладает усилительными свойствами, он усиливает открывающий базовый ток в раз.
|
|
Где - это коэффициент усиления транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.
Увеличение базового тока, протекающего в базу Т1, приводит к переводу транзистора Т1 в более глубокую степень насыщения. В результате и повышается нагрузочная способность до n = 10 и статическая помехоустойчивость.
В закрытом состоянии схемы транзистор Т3 – открыт и сопротивление R1 и R2 оказываются подключенными параллельно, что приводит к уменьшению выходного сопротивления схемы.