Плазмохимическое удаление фоторезистов

Фоторезисты представляют собой высокоразветвленные нанесен­ные углеводородные полимеры, изменяющие свою растворимость под воздействием актиничного света

Метод плазмохимического травления фоторезистов заключается во взаимодействии полимеров с атомарным кислородом плазмы, в результате которого образуются двуокись углерода, вода и другие летучие окислы. В ВЧ-разряде при концентрации свободных элек­тронов 10⁹ см'³ доля атомарного кислорода в составе плазмы состав­ляет 10-20 %. Кроме того, в плазме присутствует такая же доля воз­бужденного молекулярного кислорода. Эти частицы имеют высокую химическую активность и могут окислять фоторезист при относи­тельно низкой температуре.

Разряд в химически чистом кислороде дает относительно низкую концентрацию его атомов. При использовании для снятия фоторези­ста промышленного кислорода концентрация атомарного кислорода достигает 10-20 %. Увеличение концентрации О определяется рос­том плотности электронов в плазме при наличии примесных газов: Н₂, N₂, Н₂0, С0₂. Добавление в кислород 1 % азота увеличивает ско­рость удаления фоторезиста на 20 %, 1 % водорода - на 100 %. Про­мышленный кислород содержит достаточное количество примесей, обеспечивающих высокий выход атомарного кислорода в разряде

Реакции разложения фоторезиста на летучие фракции имеют сле­дующий вид:

где R', R" - радикалы, производные от R, образующиеся в процессе разложения фоторезистов