Параметр | «МЦСТ-R150» | «МЦСТ-R500» |
Технология | Полузаказная, 0,35 мкм | Полузаказная, 0,13 мкм |
Тактовая частота | ||
Размер слов | 32/64 | 32/64 |
Объем кэш-памяти | ||
L1 IC, Кбайт | 8 (2 way) | 16 (4 way) |
L1 DC, Кбайт | 16(4 way) | 32 (8 way) |
L2 C, Мбайт | ||
Пропускная способность L2С, Гбайт/с | 1.2 | 1.6 |
Пропускная способность шины MBus, Гбайт/с | 0.4 | 0.8 |
Число транзисторов, млн | 2.8 | 4.9 |
Площадь кристалла, мм2 | ||
Количество слоев металла | ||
Корпус/количество выводов | BGA/480 | BGA/376 |
Напряжение питания, В | 3,3/3,3 | 1/2,5 |
Рассеиваемая мощность. Вт | <4 | <1 |
17. Структурная схема микропроцессора МЦСТ-R