Исследование понижающего регулятора постоянного напряжения

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

«ДОНСКОЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»

(ДГТУ)

Лабораторная работа №2

по дисциплине: «Электронные устройства мехатронных и РТС»

на тему:

Исследование понижающего регулятора постоянного напряжения

Выполнил: студент группы УМРS-21

Герасимов И.А.

Проверил: Карнаухов Н.Ф.

Ростов-на-Дону

2013

Рисунок 1 – Схема виртуальной установки

Исходные данные:

- Uп = 240 В;

- f0 = 1000 Гц;

- Сн = 2,5 * 10-5 Ф;

- Rн = 20 Ом;

- L = 0,5 Гн.

Таблица 1 – Результаты измерений

Данные Измерения Вычисления
γ Iн Uн I1 IT (RMS) UT.max IT.max P1 PT PH
  A B A A B A Вт Вт Вт
  0,003 0,058 0,005 0,002 0,240 0,02 1,0714   0,000182
  0,037 0,675 0,003 0,022 0,250 0,08 8,0952   0,022754
  2,56 51,19 1,02 1,616   2,5 244,8 0,026 131,0464
  6,099 121,9 3,658 4,716     877,92 0,222 743,4681
  9,174 183,4 7,339 8,177     1761,36 0,669 1682,512
  11,66 233,2 11,54 11,58   11,65 2769,6 1,341 2719,112

Мощность в цепи источника питания рассчитывается по выражению:

P1=Uп*I1 (Вт),

где Uп, — напряжение питания.

Квазистатические потери в силовом полупроводниковом модуле рассчитываются по уравнению:

PT = Ron[IT(RMS)]2,

где Ron – параметр силового модуля (рисунок 2), IT(RMS) – его действующий ток (таблица 1).

Мощность в нагрузке определяется по выражению:

Pн=UнIн (Вт).

Рисунок 2 – Регулировочная характеристика регулятора Uн= f (γ)

Рисунок 3 – Энергетическая характеристика регулятора IT(RMS) = f (Iн)

Рисунок 4 – Энергетическая характеристика регулятора ITmax = f (Iн)

Рисунок 5 – Энергетическая характеристика регулятора I1 = f (Iн)

Рисунок 6 – Энергетическая характеристика регулятора P1 = f (Pн)

Рисунок 6 – Энергетическая характеристика регулятора PT = f (Pн)


Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:  



double arrow
Сейчас читают про: