Измерение спектров люминесценции

Спектры люминесценции РЗИ в составе ХГС измеряются на автоматизированном спектральном комплексе. Блок-схема оптической части этого спектрального комплекса показана на рис. 7. Основу установки составляет двойной монохроматор МДР-6. Для возбуждения спектров люминесценции Nd³⁺ в ХГС используется полупроводниковый лазер с длиной волны 812 нм. Излучение накачки фокусируется на исследуемые образцы под углом 45⁰. Вторичное излучение образца (люминесценция) с помощью конденсора направляется на входную щель монохроматора. В качестве приемников излучения используется ФЭУ-62 (область спектральной чувствительности 400-1200 нм) и германиевый фотодиод (область спектральной чувствительности 300-1700 нм).

1 - лазер

2 - образец

3- конденсор

4 - монохроматор МДР-6

5 – фотодетектор

Все измеряемые спектры люминесценции корректируются на аппаратную функцию установки (рис.8).

Рис. 8. Аппаратная функция установки с разными фотоприемниками: (а) – с ФЭУ-62; (б) – с германиевым фотодиодом FD5G.

Список литературы.

Луковкина Д.Д “Исследование спектроскопических параметров халькогенидных стекол системы Ga-Ge-S: Nd³⁺”, Молодежная научная конференция “Физика и прогресс”, Санкт-Петербург, ноябрь 2005г., с. 92.

1. Мотт Н, Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: "Мир", 1982.Т. 2. С 658.

2. Барановский С.Д., Карпов В.Г. Локализованные электронные состояния в стеклообразных полупроводниках // ФТП. 1987. Т. 21. №1. С.3-17.

3. Mott N.F., Davis E.A., Street R.A. States in the gap and recombination in amorphous semiconductors // Adv. Рhys. 1977. V. 24. P. 273.

4. Street R.A. Luminescence in amorphous semiconductors // Adv. Phys. 1976. V. 25. № 4. Р. 397 - 454.

5. Дегтярев С.В., Маньшина А.А., Курочкин А.В., Жужельский Д.В., Григорьев Я.Г., Тверянович Ю.С. Стеклообразование и люминесценция стекол системы Nd₂S₃ - Ga₂S₃ - GeS₂ // Физ. и хим. стекла. 2001. Т.27. №3. С. 318 -325.

6. Man'shina A.A., Kurochkin A.V, Degtyarev S.V., Grigor'ev Ya.G., Tverjanovich A.S.,. Tver'yanovich Yu.S, Smirnov V.B.. Glasses of the Ga₂S₃-GeS₂ system doped with rare-earth ions (Nd³⁺, Er³⁺) as active optical materials // 5/2001, Proceedings of SPIE V. 4429. Р. 80 - 88.

7. Тверянович Ю.С. Халькогенидные стекла - полифункциональный материалы современной техники // Петербургский журнал электроники. 1993. № 1. С. 66 - 72.

8. Мак А.А, Сомс Л.Н., Фромзель В.А., Яшин В.Е. //Лазеры на неодимовом стекле., М: Наука, Физматлит, 1990.

9. Серебренников В. В., Химия редкоземельных элементов, т. 1-2, Томск, 1959-61;

М.: Наука, 1990. С. 288.

10. Галанин М.Д. //Люминесценция молекул и кристаллов., М: Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, 1999. С. 200.

11. Курочкин А.В., Маньшина А.А., В.Б. Смирнов. //Антистоксовая люминесценция редкоземельных ионов., Российский центр лазерной физики, 1998.