Малосигнальные эквивалентные схемы полевого транзистора с изолированным затвором. Математическая модель

Все ПТ по своим конструктивным особенностям можно разделить на

две группы:

1) полевые транзисторы с управляющим р-п переходом (канальные, или

униполярные транзисторы);

2) полевые транзисторы с изолированным затвором (МДП- или

МОП-транзисторы).

Малосигнальная модель МДП-транзистора. Малосигнальная эквивалентная схема показана на рис. 5. Одновременно штриховыми линиями изображены элементы МДП-структуры, что наглядно поясняет связь параметров эквивалентной схемы с этими элементами.

Из четырех конденсаторов, показанных на рис. 5, только Сиз и Ссз непосредственно связаны с МДП-структурой. Быстродействие, определяемое перезарядом этих конденсаторов, принципиально связано со временем пролета через канал. Емкости Сиз и Ссз зависят от напряжений. Если Uси мало, то обе емкости равны друг другу Когда МДП-транзистор входит в режим насыщения, принимают а Соз=0 Еще два конденсатора включены между подложкой и истоком (Сип) и подложкой и стоком (Ссп) и отображают барьерные емкости обедненных областей соответствующих обратновключенных р-n переходов.

1. Пассивные фильтры: низкой и высокой частоты, полосовые пропускающие. Примеры построения и расчёта.

2. Пассивные полосовые заграждающие фильтры. Примеры построения и расчёта.

3. Электропроводность полупроводников. Генерация, рекомбинация носителей зарядов.

4. Электронно-дырочный переход при подаче внешнего напряжения. Вольт-амперная характеристика идеализированного электронно-дырочного перехода. Параметры.

5. Отличие реального полупроводникового диода от идеального.

6. Специальные типы полупроводниковых диодов.

7. Математическая модель (уравнение Эберса – Молла) идеального и реального диода. Эквивалентные модели диодов.

8. Схемы на полупроводниковых диодах. Параллельный диодный ключ и ограничитель. Передаточные характеристики. Эпюры выходного напряжения при синусоидальном входном напряжении.

9. Схемы на полупроводниковых диодах. Последовательный диодный ключ и ограничитель. Передаточные характеристики. Эпюры выходного напряжения при синусоидальном входном напряжении.

10. Физические основы функционирования биполярных транзисторов. Статический коэффициент передачи эмиттерного тока.

11. Типы биполярных транзисторов, режимы работы, схемы включения.

12. Статические характеристики и параметры биполярного транзистора включённого по схеме с общей базой.

13. Статические характеристики и параметры биполярного транзистора включённого по схеме с общим эмиттером.

14. Анализ параметров биполярных транзисторов для различных схем включения.

15. Малосигнальные Т -образные эквивалентные схемы биполярного транзистора в физических параметрах.

16. Малосигнальные эквивалентные схемы биполярного транзистора в h -параметрах.

17. Связь h -параметров с физическими параметрами транзистора.

18. Работа транзистора с нагрузкой. Построение нагрузочной прямой. Принцип усиления.

19. Особенности работы биполярного транзистора на высоких частотах. Предельная и граничная частоты, эквивалентная схема транзистора на высоких частотах.

20. Работа транзистора в импульсном режиме. Импульсные параметры транзистора.

21. Полевые транзисторы с p–n -переходом: устройство; принцип действия; ВАХ; параметры.

22. Полевые транзисторы с изолированным затвором: устройство; принцип действия; ВАХ; параметры.

23. Малосигнальные эквивалентные схемы полевого транзистора с p–n -переходом. Математическая модель.

24. Малосигнальные эквивалентные схемы полевого транзистора с изолированным затвором. Математическая модель.