2015-05-10
2898$$$ Полупроводниковые диоды применяется в устройствах электроники для цепей:
a) усиления напряжения;
b) стабилизации напряжения;
c) регулирования напряжения;
d) защиты от перенапряжений;
e) все ответы неверные
f) уменьшения напряжения
$$$ Обозначение резистора 5К7 означает следующую величину?
a) 5 килоом 700 ом
b) 5700 ом
c) 5,7 килоом
d) все ответы не верны
e) пять мегаом семьсот ом
f) 5,7 Ом
g) 570 Ом
$$$ Основным параметром усилителя является:
a) коэффициент усиления по напряжению
b) коэффициент усиления по мощности
c) коэффициент усиления по току
d) коэффициент усиления шума
e) выходное напряжение
f) потребляемая мощность
g) коэффициент усиления по частоте
$$$ Операционные усилители применяются в:
a) активных фильтрах
b) умножителях напряжения
c) компараторных устройствах
d) пассивных фильтрах
e) генераторах переменного тока
f) в оптоэлектронных устройствах
$$$ Обозначение резистора 1МЗ означает величину в:
a) один миллион триста тысяч ом
b) одну и три десятых МОм
c) один мегаом и тристо килоом
|
|
|
d) все ответы неверные
e) 1,3 микрофарады
$$$ Какие генераторы называют релаксационными генераторами электрических колебаний
a) Мультивибраторы
b) Пилообразных напряжений
c) Треугольных напряжений
d) синусоидального напряжения
e) постоянного напряжения
f) линейно изменяющегося напряжения
g) прямоугольных импульсов
$$$ В зависимости от сочетания знаков и значений напряжений на p-n -переходах транзистора различают следующие режимы его работы
a) активный режим
b) режим отсечки
c) режим насыщения
d) режим уменьшения
e) режим увеличения
f) равновесный режим
$$$ Какие существуют схемы включения биполярных транзисторов
a) с общим эмиттером ОЭ
b) с общим коллектором ОК
c) с общей базой ОБ
d) с общим стоком ОС
e) с общим истоком ОИ
$$$ Какие существуют схемы включения полевых транзисторов
a) с общим стоком ОС и входом на затвор
b) с общим истоком ОИ и входом на затвор
c) с общим затвором ОЗ и входом на исток
d) с общим истоком ОИ и входом на сток
e) с общим стоком ОС и входом на исток
f) с общим затвором ОЗ и входом на сток
$$$ Тиристор - это полупроводниковый прибор, который имеет в своем составе:
a) анод
b) катод
c) управляющий электрод
d) затвор
e) сток
f) исток
g) базу
h) коллектор
$$$ Преобразователи световой энергии в электрическую, называется:
a) фоторезистор
b) фототранзистор
c) фотодиод
d) световодом
e) оптопарой
f) термопарой
g) световолокно
$$$ По степени интеграции ИС подразделяются на:
a) ИМС
b) БИС
c) СБИС
d) цифровые и аналоговые ИС
e) пленочные, гибридные и полупроводниковые ИС
f) ламповые
g) печатные
$$$ В зависимости от технологии изготовления ИС подразделяются на:
|
|
|
a) пленочные ИС
b) полупроводниковые ИС
c) микросборки
d) МИС, СИС, БИС, СБИС
e) цифровые и аналоговые ИС
f) ламповые
$$$ В зависимости от характера устойчивых состояний генераторы прямоугольных импульсов подразделяются на:
a) бистабильные
b) моностабильные
c) астабильные
d) нестабильные
e) комбинированные
$$$ Формы отображения логических операций
a) Буквенная
b) Аналитическая
c) Символическая
d) Интегральная
e) Периодическая
f) Языковая
$$$ Какие резисторы используются в электронной технике
a) Постоянные
b) Переменные
c) Подстроечные
d) Изменяющиеся
e) Колебательные
$$$ В каких устройствах резисторы должны обладать только активным сопротивлением:
a) колебательных контурах
b) усилителях высокой частоты
c) аттенюаторах
d) компараторах
e) иммитатарах
f) сумматорах
$$$ Во всех полупроводниках сильная зависимость удельного электрического сопротивления зависит от:
a) воздействия полей
b) изменения температуры
c) ионизированного излучения
d) светового воздействия
e) колебаний энергии
f) вибрации
g) равновесного режима
$$$ Какие переходы используются в полупроводниковой технике
a) электронно-дырочный
b) металл – полупроводник
c) между двумя областями полупроводника одного типа
d) металл-металл
e) полупроводник- диэлектрик
f) металл-диэлектрик
g) электронно-металлический
h) дырочно-электрический
$$$ Полупроводниковые диоды применяется в устройствах электроники для цепей:
a) усиления напряжения;
b) стабилизации напряжения;
c) регулирования напряжения;
d) защиты от перенапряжений;
e) все ответы неверные
f) уменьшения напряжения
$$$ Основные параметры полупроводниковых точечных диодов
a) линейные размеры площади p-n-перехода очень малы и соизмеримы с его шириной
b) p-n-переход создается около контакта острия металлической пружины с полупроводниковым кристаллом n-типа
c) имеют малую емкость p-n-перехода благодаря его небольшим размерам
d) габариты корпуса имеют маленький размер
e) p-n переход имеет очень малое сопротивление
$$$ Основными параметрами выпрямительных диодов являются:
a) прямое напряжение
b) обратный ток
c) сопротивление диода в прямом направлении
d) емкость диода в прямом направлении
e) заданное обратное напряжение
f) заданный обратный ток
$$$ В целях обеспечения длительной и надежной работы диодов нельзя превышать:
a) максимально допустимое обратное напряжение
b) максимально допустимую мощность, рассеиваемую диодом
c) максимально допустимый постоянный прямой ток
d) максимально допустимый уровень сопротивления
e) максимально допустимый предел ёмкости
f) максимально допустимый порог срабатывания
g) максимально допустимый уровень напряженности
$$$ Основные параметры характеризующие импульсные диоды:
a) Общая ёмкость диода
b) Максимальное импульсное прямое напряжение
c) Максимально допустимый импульсный ток
d) Общее сопротивление диода
e) Общая частота импульсов
f) Максимально допустимое сопротивление
g) Длительность импульсов
h) Минимальное импульсное прямое напряжение
$$$ Основные особенности выпрямительных диодов Шотки:
a) меньше прямое напряжение
b) большая максимально допустимая плотность прямого тока
c) хороший теплоотвод из-за наличия металлической подложки
d) большое прямое напряжение
e) хороший теплоотвод из-за наличия большой поверхности
f) большая максимально допустимая плотность обратного тока
g) большой прямой ток
$$$ Структура биполярного транзистора состоит из следующего слоя
a) Эмиттера
b) Базы
c) Коллектора
d) Триода
e) Стока
f) Конектора
$$$ При приложении к эмиттерному переходу прямого напряжения начинается:
a) Усиленная диффузия дырок из эмиттера в базу
|
|
|
b) Усиленная инжекция дырок из эмиттера в базу
c) Усиленный перенос дырок из эмиттера в базу
d) Усиленная диффузия электронов из эмиттера в базу
e) Усиленная инжекция электронов из эмиттера в базу
$$$ При увеличении тока базы биполярного транзистора
a) растет прямое напряжение на эмиттерном переходе
b) растет инжекция носителей из эмиттера в базу
c) увеличивается ток эмиттера
d) растет обратное напряжение на эмиттерном переходе
e) растет инжекция носителей из эмиттера в коллектор
f) увеличивается обратный ток эмиттера
$$$ Коэффициенты передачи токов транзистора α и β зависят от ча-
стоты, это связано с инерционностью процессов происходящих в транзисторе:
a) От прохождении носителей заряда через базовый слой
b) При изменением концентрации носителей в базе
c) От диффузии неосновных носителей к коллектору
d) От усиленныя переноса дырок из эмиттера в базу
e) От усиленная диффузия электронов из эмиттера в базу
f) Из-за большой максимально допустимой плотности прямого тока
g) При изменением концентрации носителей в коллекторе
30 $$$ Полевые транзисторы с управляющим р-п- переходом состоят из
a) Стока
b) Истока
c) Затвора
d) Защелки
e) Задвижки
f) Управляющего электрода
g) Коллектора
h) Стабилитрона
$$$ Что происходит при повышении температуры полевого транзистора
a) электропроводность примесных полупроводников уменьшается
b) ширина р-п перехода уменьшается, а канал расширяется
c) ток стока при Uзи =const может изменяться различным образом
d) канал выходит из строя
e) растет прямое напряжение на р-п переходе
f) ширина р-п перехода увеличивается, и канал расширяется
$$$ При приложении положительного напряжении к затвору
a) электрическое поле притягивает электроны из подлож-
ки, в область канала
b) сопротивление канала уменьшается
c) ток стока растет до режима обогащения
d) электрическое поле выталкивает электроны из подлож-
ки, в область канала
e) сопротивление канала увеличивается
$$$ При приложении отрицательного напряжения на затвор
a) электрическое поле выталкивает электроны из канала
|
|
|
b) сопротивление канала увеличивается
c) ток стока падает до режима обеднения
d) сопротивление канала уменьшается
e) ток стока растет до режима обогащения
f) ток стока не изменяется
$$$ Разновидность тиристора основана на четырехслойной р-п-р-п структуре имеет выводы
a) анод
b) катод
c) управляющий электрод
d) управляющий катод
e) управляющий анод
f) катион
g) эмитерный катод
$$$ Включение тиристора произойдет если
a) дать питание в электрическую цепь
b) на управляющий электрод подать отпирающий импульс положительной полярности
c) если увеличить ЭДС источника питания до значения, большего напряжения UBKB
d) на управляющий электрод подать отпирающий импульс отрицательной полярности
e) если уменьшить ЭДС источника питания до предельного значения
$$$ Полупроводниковый прибор электроники с четырехслойной р-п-р-п структурой
a) тиристор
b) симистор
c) динистор
d) варистор
e) резистор
f) позистор
$$$ Элементная база оптоэлектроники включает в себя:
a) оптоизлучатели
b) фотоприемники
c) светодиоды
d) светотранзисторы
e) светорезисторы
f) светотиристоры
g) галогенки
h) волноводы
$$$ Для создания светоизлучающих диодов используют сложные полупроводниковые материалы
a) фосфид галлия
b) арсенид галлия
c) карбид кремния
d) карбид сурьмы
e) карбид азота
f) арсенид железа
g) фосфид водорода
$$$ Оптопара в электронных измерительных приборах состоит
a) из излучателя
b) фотоприемника
c) оптического канала
d) лампы накаливания
e) галогенной лампы
f) светотиристора
$$$ В оптопарах полностью отсутствует и не реализуется
a) электрическая связь
b) магнитная связь
c) емкостная связь
d) оптическая связь
e) волоконная связь
$$$ Полупроводниковая интегральная микросхема реализуется на:
a) полупроводниковых транзисторах
b) полупроводниковых диодах
c) полупроводниковых резисторах
d) полупроводниковых индуктивностях
e) полупроводниковых светорезисторах
f) полупроводниковых герконах
$$$ Элементы не реализуемые в полупроводниковых ИМС
a) дроссели
b) трансформаторы
c) конденсаторы большой емкости
d) конденсаторы малой емкости
e) импульсные диоды
f) биполярные транзисторы
g) стабилитроны
$$$ Какие элементы в гибридных ИМС выполняются навесными:
a) магнитные элементы
b) конденсаторы больших номиналов
c) безкорпусные полупроводниковые приборы
d) полевые транзисторы
e) биполярные транзисторы
f) диодные элементы
g) усилительные элементы
h) генераторные элементы
$$$ Гибридные ИМС обладают следующими основными свойствами:
a) предпочтительными являются пассивные элементы
b) точность воспроизведения параметров
c) проще технология изготовления
d) малые размеры элементов
e) большая степень интеграции
f) большая стоимость реализации
$$$ Какие технологии сложных транзисторов используют в интегральных технологиях
a) Многоэмиттерный транзистор
b) Многоколлекторный транзистор
c) Транзистор с барьером Шотки
d) Многобазовый транзистор
e) Пассивный транзистор
$$$ Логические ИМС выпускаемые промышленностью в виде серий элементов обычно выполняют следующими элементами
a) ИЛИ-НЕ
b) И-НЕ
c) НЕ
d) ИЛИ-И
e) НЕ-ИЛИ
f) НЕ-И
$$$ Какие типы логики можно реализовать элементами И—HE либо ИЛИ—HE
a) ТТЛ – логика
b) МДП-логика
c) ТТЛШ-логика
d) ТТП-логика
e) МДМ-логика
f) ИМС-логика
g) ТТЛД-логика
$$$ Электронный усилитель используемый в телекоммуникациях
a) низкой частоты
b) мощности
c) высокой частоты
d) средней частоты
e) температуры
f) широкополостности
g) узкополостности
h) максимальной частоты
$$$ Типовая структурная схема усилителя состоит из
a) Источника сигнала
b) Усилительного каскада
c) Нагрузки
d) Колебательного контура
e) Генератора сигналов
f) Компаратора
$$$ Каскады усиления используемые в структурах усилительных устройств
a) предварительный каскад
b) предоконечный каскад
c) оконечный каскад
d) каскад промежуточный
e) вспомогательный каскад
$$$ В усилительном каскаде работающего в режиме большого сигнала необходимо поддержание и регулирование
a) диапазона рабочих частот
b) линейности выходного сигнала
c) значительного усиления
d) длительности импульса
e) линейности входного сигнала
f) амплитуды входного сигнала
$$$ Коэффициент усиления усилителя, состоящего из нескольких (n) каскадов равен
a) KI = KI1*KI2*…..*KIn
b) KU= KU1*KU2*….*KUn
c) KP= KP1*KP2*….*KPn
d) KI = KI1+KI2+…..+KIn
e) KL= KL1*KL2*….*KLn
f) KF= KF1*KF2*….*KFn
$$$ Назовите основные показатели усилительного каскада
a) входные и выходные сопротивления
b) чувствительность по входу
c) стабильность усиления
d) стабильность изменения частоты
e) стабильность обратных токов
f) чувствительность по выходу
g) входная и выходная ёмкость
$$$ Коэффициенты усиления так же, как и их изменения, на практике принято выражать
a) натуральным числовым масштабом
b) десятично логарифмическим масштабом
c) натурально логарифмическим масштабом
d) косвенным масштабом
e) дробным масштабом
f) тепловым масштабом
g) обратным масштабом
h) интегральным масштабом
$$$ Для количественной оценки вносимых усилителем искажений используют основные характеристики усилителя:
a) частотную характеристику
b) переходную характеристику
c) динамическую характеристику
d) статическую характеристику
e) широтную характеристику
f) логарифмическую характеристику
g) оценочную характеристику
$$$ Причиной образования частотных искажений является наличие в схеме усилителя реактивных элементов
a) ёмкостей
b) индуктивностей
c) дросселей
d) резисторов
e) транзисторов
f) стабилитронов
$$$ Усилении входного сигнала, воздействуя на элементы усилителя управляет потреблением энергии в нагрузку от источника питания значительно большей мощности и записывается следующим образом:
a) 
b) 
c) 
d) 
e) 
f) 
$$$ Для усилителей тока и мощности характерно
a) входное сопротивление во много раз меньше входного источника сигнала
b) Выходное сопротивление во много раз больше сопротивления нагрузки
c) равенство сопротивления нагрузки выходному сопротивлению
d) Выходное сопротивление во много раз меньше сопротивления нагрузки
e) входное сопротивление во много раз больше входного источника сигнала
$$$ Входные и выходные параметры сигнала усилителя отличаются
a) по амплитуде
b) по фазе
c) по мощности
d) по частоте
e) по емкости
f) по ширине сигнала
$$$ Усилительный каскад может быть реализован по схеме
a) с общим эмиттером
b) с общим коллектором
c) с общей базой
d) с общим конденсатором
e) с общей нагрузкой
f) с общим резистором
g) с общим напряжением
$$$ Выбор класса усиления и выбор режима покоя вызывает или определяет:
a) форму передаваемого сигнала
b) мощность потерь
c) нагрев транзистора
d) уровень выходного тока
e) уровень выходного напряжения
f) выходную мощность
g) перекос напряжения
h) уровень напряженности
$$$ Термостабилизация точки покоя усилителя позволяет
a) снизить температуру нагрева
b) снизить обратный тепловой ток
c) снизить нелинейные искажения
d) снизить коэффициент усиления
e) снизить уровень частоты
f) повысить температуру
g) повысить уровень частоты
$$$ Основными параметрами усилителя по схеме ОЭ являются:
a) Коэффициент усиления
b) Частотная характеристика
c) Передаточная функция
d) Уровень выходного тока
e) Уровень индуктивности
f) Коэффициент прочности
$$$ Обратные связи классифицируются по следующим признакам
a) Фаза действия обратной связи
b) Частотный диапазон действия обратной связи
c) Структуры схем обратной связи
d) Ширина обратной связи
e) Импульс обратной связи
$$$ По фазе действия обратные связи различают:
a) положительную обратную связь
b) отрицательную обратную связь
c) комбинированную обратную связь
d) последовательную обратную связь
e) возрастающую обратную связь
f) убывающую обратную связь
$$$ Совместное применение положительной и отрицательной обратных святей позволяет использовать преимущества этих видов связи в работе усилителя
a) стабилизировать работу усилителя
b) снижать вносимые усилителем искажения
c) увеличивает коэффициент усиления усилителя
d) снижает перегрев усилителя
e) увеличивает частоту сигнала
f) уменьшает частоту сигнала
$$$ В отношении структуры схемы обратной связи различают по способу получения сигнала обратной связи:
a) обратную связь по напряжению
b) обратную связь по току
c) смешанную по выходу обратную связь
d) обратную связь по мощности
e) обратную связь по частоте
f) обратную связь по нагреву
g) смешанную по входу обратную связь
$$$ По способу подачи обратной связи на вход различают:
a) обратную связь последовательного типа
b) обратную связь параллельного типа
c) смешанную по входу обратную связь
d) обратную связь пошагового типа
e) обратную связь идеального типа
f) смешанную по выходам обратную связь
g) смешанную по частоте обратную связь
$$$ Критерии устойчивости, используемые для устойчивости усилителей
a) критерий Найквиста
b) критерий Гурвица
c) критерий Михайлова
d) критерий Шотки
e) критерий Навье Стокса
$$$ При реализации и расчете усилителя мощности важно:
a) выбрать по мощности транзистор
b) задать напряжение источника питания
c) определить сопротивление нагрузки
d) задать сопротивление источника питания
e) выбрать по току транзистор
$$$ Дифференциальный усилительный каскад для усиления электрических колебаний, нашли широкое применение в устройствах электроники:
a) в операционных усилителях
b) в компараторах
c) в умножителях
d) в делителях
e) в генераторах
f) в шифраторах
$$$ При приложении напряжений к входам дифференциального усилителя
a) напряжения, прикладываемые к базам транзисторов, одинаковы по ампли-
тудам и противоположны по фазам
b) токи в плечах также равны и противоположны по фазам
c) суммарный ток через общий эмиттерный резистор остается постоянным
d) напряжения, прикладываемые к базам транзисторов, разные по ампли-
тудам и противоположны по фазам
e) токи в плечах также равны и совпадают по фазам
f) суммарный ток через общий эмиттерный резистор переменный
$$$ Операционный усилитель унифицированный многокаскадный усилитель постоянного тока, удовлетворяющий следующим требованиям:
a) коэффициент усиления по напряжению стремится к бесконечности
b) входное сопротивление стремится к бесконечности
c) выходное сопротивление стремится к нулю
d) коэффициент усиления по напряжению ограничено
e) входное сопротивление стремится к нулю
f) выходное сопротивление стремится к бесконечности
g) коэффициент усиления по напряжению зависит от частоты
$$$ По структуре операционный усилитель состоит из:
a) Симметричного дифференциального каскада
b) Несимметричного дифференциального каскада
c) Эммитерного повторителя
d) Коллекторного повторителя
e) Усилителя мощности
f) Трансформаторного каскада
g) Суммирующего устройства
$$$ Основными параметрами операционного усилителя являются
a) коэффициент усиления по напряжению
b) входное напряжение смещения
c) разность входных токов
d) разность входных напряжений
e) разность частотных характеристик
f) входной ток смещения
$$$ На практике широко применяются следующие типы диодов:
А) выпрямительные
B) импульсные
С) тунельные
D) оптические
E) сверхвысокоскоростные
F) электронные
G) усилительные
H) дифференциальные
$$$ Для выпрямительных диодов характерно:
А) малые сопротивления и большие токи в прямом режиме
B) максимально допустимая частота входного напряжения
С) особенностью является высокое значение допустимого обратного движения (сотни В и выше)
D) диффузионная емкость из- за большой площади перехода достигает значений десятков пикофарад
E) особенностью является низкое значение допустимого обратного напряжения
F) большие сопротивления и малые токи в прямом режиме
G) малые сопротивления и малые токи в прямом режиме
H) большие сопротивления и большие токи в прямом режиме
$$$ Для стабилитронов характерно:
А) малая величина обратного тока
B) дифференциальное сопротивление на участке стабилизации равно 0,5÷200 Ом
С) рост температуры сопровождается ростом пробивного напряжения
D) рост температуры сопровождается уменьшением пробивного напряжения
E) большая величина обратного тока
F) увеличение температуры сопровождается уменьшением пробивного сопротивления
G) обратное сопротивление достигает сотен наноом
H) уменьшение температуры сопровождается ростом пробивного напряжения
$$$ Максимальный ток стабилитрона ограничивается:
А) Нст.мах ограничивается величиной максимальной мощности рассеяния Рмах
B) минимальным током нагрузки и максимальным входным напряжением
С) ток, при котором стабилитрон будет греться и нужны дополнительные меры защиты
D) Нст.мах ограничивается величиной минимальной мощности рассеяния Рмах
E) максимальным током нагрузки и минимальным входным напряжением
F) большей мощностью
G) минимальной емкостью
H) максимальным сопротивлением
$$$ Электрический переход (переход, ElectrHscher Ubergang- SperrchHcht, JunctHon)- это:
А) переходный слой в полупроводниковом материале между двумя областями с различными типами электропроводности или разными значениями удельной электрической проводимости (одна из областей может быть металлом)
B) электрический переход (n_n+ переход, n_n+_Ubergang, N_N+ junctHon) между двумя областями полупроводника n_типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости
С) электрический переход между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность n_типа, а другая р_типа
D) переходный слой в полупроводниковом материале между двумя областями с одинаковыми типами электропроводности или разными значениями удельной электрической проводимости (одна из областей может быть металлом)
E) переходный слой в полупроводниковом материале между двумя областями с одинаковыми типами электропроводности или одинаковыми значениями удельной электрической проводимости
F) переходный слой в полупроводниковом материале между двумя областями с одинаковыми типами электропроводности или разными значениями удельной электрической проводимости (обе области может быть металлом)
G) электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно больше толщины области пространственного заряда
H) диффузионный переход, образованный в результате диффузии примеси сквозь отверстие в защитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника
$$$ Пробой p-n перехода (Durchbruch des pn- Uberganges, Breakdown of a P-N junctHon)- это:
А) лавинообразный процесс
B) тепловой пробой
С) электрический пробой
D) диффузионный пробой
E) область полупроводника, в которой имеет место непосредственное изменение типа проводимости от электронной n к дырочной р
F) явление фотоэффекта
G) явление оптоэффекта
H) импульсный пробой
$$$ Зависимость тока стока Iпр от одного из напряжений Uпр при фиксированной величине второго- это:
А) идеальная вольт- амперная характеристика
B) реальная вольт- амперная характеристика
С) линеаризованная вольт- амперная характеристика
D) выходная характеристика
E) входная характеристика
F) амплитудно- частотная характеристика
G) фазо- частотная характеристика
H) стокозатворная характеристика
$$$ Резкое изменение режима работы диода называется:
А) лавинным пробоем
B) туннельным пробоем
С) электрическим или тепловым пробоем
D) пробелом
E) передаточным пробоем
F) застоем
G) перерывом
H) непрерывным пробоем
$$$ Допустимый выпрямленный ток диода зависит:
А) от температуры окружающей среды
B) от подаваемого напряжения
С) от напряжения p-n перехода
D) от емкости p-n перехода
E) от температуры омических контактов
F) от точности энергии источника питания
G) от степени коэффициента инжекции
H) от индуктивности p-n перехода
$$$ Полупроводниковый диод, предназначенный для стабилизации напряжения в источниках питания- это:
А) стабилитрон
B) стабистор
С) опорный диод
D) усилитель
E) диод Шотки
F) детекторный диод
G) варикап
H) лавинный диод
$$$ Инерционные свойства транзисторов обусловлены:
А) конечным временем «пролета» носителей заряда через область базы
B) конечным временем диффузии носителей тока в тело базы
С) процессами накопления и рекомбинации заряда в базе при коммутации ключа
D) временем дрейфа в эмиттере
E) временем неосновных носителей заряда в коллекторе
F) временем неосновных носителей заряда в стоке
G) длительностью рекомбинации в эмиттере
H) длительностью рекомбинации в истоке
$$$ База- это:
А) электрод, подключенный к центральному слою
B) электрод, занимающий самое меньшее место в структуре транзистора
С) электрод, управляющий значением тока, проходящего через транзистор
D) электрод, имеющий самое большое тело полупроводника
E) электрод, подключенный к внешнему слою
F) электрод, в области которого сосредоточено самое большое количество носителей заряда
G) место, где нет носителей заряда
H) место, где хранится важная информация
$$$ Главное отличие коллектора от эмиттера:
А) большая площадь p-n перехода
B) в области коллектора происходит экстракция носителей из базы
С) на нем рассеивается самая большая мощность
D) малая площадь p-n перехода
E) в коллекторе происходит рекомбинация носителей заряда
F) в коллекторе самая большое выходное сопротивление в режиме усиления
G) в коллекторе не выделяется тепло
H) коллектор не управляется в отличие от эмиттера
$$$ Прибор, имеющий 2 взаимодействующих p-n перехода называется:
А) биполярный транзистор
B) преобразователь сопротивления
С) усилитель
D) полевой транзистор
E) диод
F) варикап
G) стабилитрон
H) синхронизатор
$$$ В каком режиме транзистор используется для усиления сигнала с малыми искажениями:
А) усилительном
B) в нормальном режиме
С) активном
D) отсечки
E) насыщения
F) в неуправляемом режиме
G) в переключательном режиме
H) в ключевом режиме
$$$ Достоинство схемы с общим коллектором- это:
А) малое выходное сопротивление
B) возможность использования в выходных каскадах усиления
С) усиление тока
D) усиления напряжения
E) большое выходное сопротивление
F) малое входное сопротивление
G) большое передаточное сопротивление
H) усиления мощности
$$$ Режимы в которых может работать биполярные транзисторы:
А) отсечки
B) активном
С) насыщения
D) лавинном и тепловом
E) дырочном и пробойном
F) пассивном и активном
G) обеднения
H) обогащения
$$$ Схема включения транзистора, при которой обеспечивается максимальный коэффициент усиления по току и по напряжению:
А) схема с общим эмиттером
B) дифференциальный усилитель
С) усилитель
D) схема с общим коллектором
E) эмиттерный повторитель
F) повторитель тока
G) схема с общей базой
H) схема с общим заземлением
$$$ Модуляция толщины базы коллекторным напряжением- это:
А) изменение толщины базы при изменении коллекторного напряжения вследствие изменения ширины коллекторного перехода
B) то, что при увеличении обратного напряжения Uкб коллекторный переход расширяется
С) изменение толщины базы при изменении напряжения на коллекторе, т.е. увеличение допустимого напряжения на коллекторном переходе
D) влияние коллекторного напряжения на толщину базы в области вывода базы
E) изменение толщины базы из- за влияния коллекторного напряжения на ширину эмиттерного перехода
F) изменение толщины базы из- за влияния коллекторного напряжения на концентрацию подвижных носителей в базе
G) изменение толщины базы при изменении напряжения на коллекторе, т.е. уменьшение допустимого напряжения на коллекторном переходе
H) то, что уменьшение обратного напряжения Uкб коллекторный переход расширяется
$$$ Носители заряда, которыми обусловлен ток коллектора:
А) неосновными носителями заряда в области базы в области базы
B) неосновными носителями заряда в области коллекторного перехода
С) основными носителями в области коллектора
D) основными носителями в области базы
E) основными носителями в области эмиттера
F) только основными носителями в области базы
G) основными носителями заряда в области эмиттера и базы
H) неосновными носителями в области эмиттерного перехода
$$$ Температурные свойства полевых транзисторов обусловлены:
А) перемещением носителей заряда канала
B) потоком основных носителей протекающим через проводящий канал и упрвляемым электрическим полем
С) определением концентрации основных носителей
D) перемещение неосновных носителей заряда
E) перемещение неосновных носителей заряда в базе
F) перемещение неосновных носителей заряда в коллекторе
G) определением концентрации неосновных носителей в коллекторе
H) определением концентрации неосновных носителей в канале
$$$ Управление током в униполярном транзисторе:
А) на изменении сопротивлений канала вследствие изменения концентрации инжекторных носителей
B) управлении большими токами при затрате небольших мощностей
С) управление движением носителей заряда одного знака
D) на увеличение ширины перехода и сечения канала при изменении входного напряжения
E) на изменении коэффициента передачи тока под действием входного напряжения
F) на изменении емкости перехода
G) на изменении сопротивлении затвора и источника питания
H) на изменении индуктивности затвора и источника питания
$$$ Напряжение отсечки полевого транзистора- это:
А) это напряжение затвор- исток для транзисторов с управляющим p- n переходом, при котором ток стока достигает заданного значения, обычно 10 мкА
B) это напряжение затвор- исток для транзисторов с изолированным затвором со встроенным каналом, при котором ток стока достигает заданного значения, обычно 10 мкА
С) это- напряжение, в режиме которого ток через канал полевого транзистора не протекает
D) это- - напряжение, в режиме которого ток через канал полевого транзистора максимальный
E) это- напряжение, в режиме которого напряжение через канал полевого транзистора нет
F) напряжение Uзи, при котором ток стока достигает заданного высокого значения тока стока
G) напряжение Uзи, при котором ток стока достигает заданного высокого значения сопротивления стока
H) напряжение Uзи, при котором ток стока достигает заданного высокого значения тока истока
$$$ Напряжение смещения полевого транзистора:
А) служит для задания рабочего режима полевого транзистора
B) достигается коллекторным источником
С) достигается уменьшением тока стока
D) достигается эмиттерным источником
E) достигается базовым источником
F) достигается увеличением тока стока
G) изменением тока канала
H) увеличением сопротивлением базы
$$$ Начальный ток стока полевого транзистора- это:
А) напряжение равно нулю на стоке
B) ток стока в области насыщения Uзи=0 и при заданном напряжении Uси
С) ток в цепи стока при нулевом напряжении на затворе транзистора
D) это начальный ток стока при высоком напряжении на затворе и напряжение отсечки, которое нужно подать на затвор для запирания канала
E) ток стока в режиме обеднения
F) ток истока в режиме обогащения
G) сопротивление на стоке максимально
H) при нулевом напряжении на затворе и напряжение отсечки, которое нужно подать на затвор для запирания канала
$$$ Условное графическое изображение полевого транзистора изображено на рисунке:
С
З И
А) с управляющим p- n переходом и каналом n- типа
B) ПТУП с отрицательными носителями заряда в канале
С) ПТУП с электронами в канале
D) с управляющим p- n переходом и каналом p- типа
E) с изолированным затвором и встроенным каналом n- типа
F) с изолированным затвором и встроенным каналом p- типа
G) с изолированным затвором c индуцированным каналом n- типа
H) с изолированным затвором с индуцированным каналом p- типа
$$$ Условное графическое изображение полевого транзистора изображенного на рисунке:
С
З И
А) с изолированным затвором с встроенным каналом p- типа
B) ПТИЗ с положительными носителями заряда в канале
С) ПТИЗ с дырками в канале
D) с управляющим p- n переходом и каналом n- типа
E) с управляющим p- n переходом и каналом p - типа
F) с изолированным затвором и встроенным каналом n- типа
G) с изолированным затвором с индуцированным каналом n- типа
H) с изолированным затвором с индуцированным каналом p- типа
$$$ Выберите основные режимы работы полевых транзисторов ПТУП и ПТИЗ:
А) обогащения
B) обеднения
С) усилительный
D) накопительный
E) ограничительный
F) фазовый
G) увеличительный
H) уменьшительный
$$$ Основные параметры полевых транзисторов это:
А) коэффициент усиления µ
B) внутреннее сопротивление Rн
С) крутизна S
D) коэффициент трансформации k
E) коэффициент гармоник f
F) полное сопротивление z
G) коэффициент надежности n
H) h параметр
$$$ Выберите основные характеристики полевых транзисторов:
А) стоковая
B) передаточная
С) стоко- затворная
D) вольт- фарадная
E) гистерезисная
F) амплитудно- частотная
G) фазо- частотная
H) амплитудная
$$$ Напряжение на управляющем электроде тиристора служит для:
А) уменьшение мощности рассеяния
B) изменение его состояния
С) включение тиристора
D) увеличение мощности рассеяния
E) перехода в режим диода
F) перехода в режим варикапа
G) отключения симистора
H) выключения источника питания
$$$ Определите общее у туннельного диода и тиристора, ВАХ которого представлена на рисунке в рабочей точке С:
А) дифференциальное сопротивление
B) участок переходного процесса
С) и диод и тиристор уже не закрыты, но и не открыты
D) пиковое значение мощноти
E) участок минимальных значений тока и напряжения
F) участок открытого состояния диода и тиристора
G) пиковое значение емкости
H) пиковое значение индуктивности
$$$ Выберите график тиристора, полупроводникового диода и выходную характеристику транзистора:
1) 2) 3) 4)
5) 6) 7) 8)
А) 3
B) 4
С) 8
D) 1
E) 2
F) 6
G) 7
H) 5
$$$ Анодом тиристора называют электрод присоединенный к:
| p | n | p | n |
А) внешнему p- слою
B) внешнему слою с дырками
С) внешнему с положительными носителями слою
D) к внутреннему p- слою
E) внутреннему с положительными носителями
F) внешнему n- слою
G) внутреннему n- слою
H) среднему слою
$$$ КПД современных тиристоров достигает:
А) 99%
B) почти 100%
С) очень высок
D) 50%
E) 70%
F) 40%
G) очень мал
H) низкий
$$$ Существует четыре типа четырехслойных приборов, выберите их:
А) динисторы
B) тиристоры
С) симисторы
D) диоды
E) транзисторы
F) оптроны
G) стабилитроны
H) варикапы
$$$ Тиристор- полупроводниковый прибор с:
А) двумя устойчивыми состояниями, имеющий три (и более) p- n перехода
B) переключением из закрытого состояния в открытое и наоборот
С) четыремя чередующимися слоями p- и n- типа проводимости (p- n- p- n), образующих три электронно- дырочных перехода
D) одним устойчивым состоянием
E) с одним переходом
F) с одним взаимодействующим переходом
G) тремя участками с дифференциальным сопротивлением
H) энергии тока с заземленной нагрузкой
$$$ Динистор (диодный тиристор)- это:
А) имеет два вывода (нет управляющего электрода)
B) он включается в проводящее состояние при подаче на них прямого напряжения, большего «напряжения включения»
С) он остается в проводящем состояний до тех пор, пока ток через него не уменьшить до уровня «тока выключения» или не снять анодное напряжение
D) имеет два вывода (есть управляющий электрод)
E) имеет три вывода (нет управляющего электрода)
F) это стабилизатор
G) это преобразователи сопротивлений
H) это генераторы сигналов
$$$ Существенные отличия тиристоров от транзисторов заключаются в следующем:
А) открываются и закрываются при кратковременной подаче существующих сигналов
B) имеют свойство «запоминать» заданное им внешним сигналом электрическое состояние
С) применяются как переключатели, реле времени, регуляторы напряжений, импульсные генераторы, управляемые выпрямители, инверторы
D) применяются как усилители
E) имеют свойство бесконечного сопротивления
F) применяются как стабилизаторы
G) применяются как источники питания
H) применяются как диоды
$$$ Отличия фототиристора- это:
А) фототиристор так же, как фототранзистор обладает большим внутренним усилением фототока
B) четырехслойную структуру p- n- p- n
С) основная часть излучения входного диода направлена на высокоомную базовую область n- фоторезистора
D) фототиристор так же, как и фототранзистор обладает малым внутренним усилением фототока
E) имеет однослойную структуру
F) применяется как преобразователь энергии
G) применяется как широкополосный усилитель
H) применяется как избирательный фильтр
$$$ По функциональному назначению усилители делятся на:
А) усилители тока
В) усилители напряжение
С) усилители мощности
D) усилители емкости
H) усилители индуктивности
F) усилители угла
G) усилители сопротивление
$$$ Чему равен коэффициент усиление?
А) КU=20lg(U2/U1)
В) КP=20lg(P2/P1)
С) КI=20lg(I2/I1)
D) КДБ=20lg(Uвыхmax/UвыхHn)
E) КДБ=20ln(Uвых/UвыхHn)
H) КДБ=20ln(Hвых/HBX)
F) КДБ=20ln(Uвых/UBX)
G) КДБ=20ln(Pвых/PBX)
$$$ Что оценивает коэффициент гармоник?
А) статические (нелинейные) искажения;
В) динамические (амплитудные) искажения
С) динамические (фазовые) искажения
D) вибрации
Е) сопротивление
H) ослабление синфазного сигнала
F) влияние обратной связи
G) индуктивные искажения
$$$ Характерная особенность усиления класса А-
А) наличие смещения, низкий КН и низкий кпд
В) выполнение условия ∆Н<Нкп
С) напряжения смещения Uсм должно быть положительным и превосходить максимальную амплитуду напряжение Uс
D) высокий Кн и низкий кпд
Е) наличие смещение, низкий Кн и высокий кпд
H) наличие смещение, высокий Кн и высокий кпд
F) наличие смещение, высокий Кн и высокий кпд и коэффициент усиления
G) наличие смещение, высокий Кн и высокий кпд и низкий коэффициент усиления
$$$ Характерная особенность усиления класса В-
А) отсутствие смещение, высокий КН и высокий кпд, Q=900
В) ток в выходной цепи транзистора протекает только в течении пловины периода изменения напряжения входного сигнала
С) рассеиваемая мощность в каскаде при условии Uc=0
D) наличие смещения,, высокий КН и высокий кпд, Q>900
Е) отсутствие смещение, низкий КН и высокий кпд, Q<900
H) отсутствие смещение, высокий КН и низкий кпд, Q=900
F) емкость в выходной цепи транзистора протекает только в течении половины перида изменения напряжения входного сигнала
G) сопротивление в выходной цепи транзистора протекает только в течении половины периода изменения напряжения входного сигнала
$$$ Характерная особенность усиления класса АВ-
А) наличие смещения, КнА< КнАВ < КнВ, ηА< ηАВ< ηВ и Q>900
В) в классе АВ Uсм=UБЭ=0
С) в классе АВ Uсм=UБЭ>0
D) отсутствие смещения, КнА< КнАВ < КнВ, ηА< ηАВ< ηВ и Q<900
Е) наличие смещения, КнАВ > КнВ, ηАВ> ηВ и Q<900
H) наличие смещения, КнАВ > КнВ, ηАВ< ηВ и Q>900
F) ток в выходной цепи транзистора протекает больше половины периода изменения напряжения входного сигнала
G) в классе АВ Uсм=UБЭ<0
$$$ Характерная особенность усиления класса Д-
А) ключевой режим и очень высокий кпд
В) η близок к 1
С) неключевой режим и низкий кпд
D) наличие смещение, высокий КН и низкий кпд
Е) ключевой режим, но низкий кпд
H) наличие смещения, низкий КН и высокий кпд
F) транзистор находиться либо в состоянии включено или выключено
G) в выходной цепи в классе D: Hk max Hk mHn
$$$ Процесс передачи сигналов в усилительных трактах в направлении, обратном основному, т.е.с выхода на вход, называется…
А) обратной связью, которая повышает входное и выходные сопротивление
В) обратной связью, которая снижает коэффициент усиления каскада
С) обратной связью, которая расширяет полосу усиливаемых частот
D) передаточной функцией
Е) демпфированием
H) стабилизацией
F) обратной связью, которая расширяет коэффициент усиления
G) обратной связью, которая расширяет полосу усиливаемых частот
$$$ Устройство сравнения аналоговых сигналов это
А) компаратор
В) устройство выполняющее функции сравнения двух выходных сигналов между собой
С) устройство для сравнения двух напряжений и выдачи результата сравнения в логорифном форме
D) дифферентатор
Е) интегратор
H) сумматор
F) устройство выполняющее функции сравнения двух выходных сигналов между собой
G) устройство выполняющее функции суммирование одного выходного сигнала с некоторым вперед заданным эталонным уровнем
$$$ В реальных усилительных устройствах коэффициент усиления (передачи) сильно зависит от…
А) параметров используемых элементов
В) от условии эксплуатации, изменения Т0С
С) от изменения напряжения питания
D) от местных характеристик
Е) от внутренной ВАХ
H) от комбинированных приборов
F) от увеличения напряжение
G) от уменьшения напряжения питания
$$$ Если ОС снимается с RH или с RHHRH и UOC изменяется пропорционально выходному напряжению, то это ОС…
А) по напряжение
В)по разности птенциалов
С) по U
D) по току
Е) параллельная
H) последовательная
F) по Q
G) по U
$$$ Если ОС снимается с сопротивления, последовательного RH и изменение напряжения обратной связи пропорционально изменению тока, то это ОС…
А) по току
В) по Н
С) по величине обратной сопротивлению
D) по напряжению
Е) последовательная
H) параллельная
F) по Р
G) по Q
$$$ Преимущества схемы с ОБ по сравнению с ОЭ
А) шире частотной диапазон
В) малое RВХ
С) большое RВЫХ
D) KH=1<<KU
Е) малые нелинейные искажения
H) никаких преимуществ нет
F) R=∞
G) R=0
$$$ Тип ОС, который предусмотрен в схеме эмиттерного повторителя
А) 100% последовательная ООС но напряжению
В) 100% последовательная ООС по разности потенциалов
С) 100% последовательная ООС по U= φ1- φ2
D) 100% параллельная ПОС по току
Е) 100% последовательная ООС по току
H) 100% параллельная ПОС по напряжению
F) 100% последовательная ООС по сопротивлению
G) 100% последовательная ООС по мщности
$$$ Рассчитайте выходное напряжение Uвых в схеме эмиттерного повторителя
А) входному напряжению Uвх
В) выходной сигнал повторяет входной сигнал
С) KU=1
D) зависит от частоты входного сигнала
Е) половина входного напряжения Uвх
H) зависит от коэффициента делителя напряжения
F) KU<1
G) KU>1
$$$ Для согласования схем с высоким выходным сопротивлением со схемами с низким входным сопротивлением необходимо применить
А) эмиттерный повторитель
В) схему с общим коллектором
С) схему биполярного транзистора с внешней максимальной площадью
D) усилитель с ОБ
Е) усилитель мощности
H) ГСТ
F) схему биполярного транзистора с внешней минимальной площадью
G) схему с общим эмиттером
$$$ Наличие ложного выходного сигнала при закороченном входе (Uвх=) УПТ называется….
А) дрейфом нуля
В) самопроизвольном отклонением напряжения или тока на выходе усилителя от начального значения
С) компонентом широкополосного шума
D) синфазной помехой
Е) чувствительностью усилителя
H) дрейфом выходного напряжения
F) парафазной помехой
G)шумом
$$$ Основное достоинство ДУ в режиме покоя
А) отсутствие дрейфа нуля
В) отсутствие самопроизвольного отклонения напряжения на выходе усилителя от начального значения
С) отсутствие самопроизвольного отклонения тока на выходе усилителя от начального значения
D) простота конструкции
Е) наличие только одного источника
H) стабильность тока эмиттера
F) наличие двух источников питания
G) наличие трех источников питания
$$$ Основным недостатки в простейшей схеме усилителя мощности
А) очень высокий коэффициент нелинейных искажений КН
В) мал коэффициент Кр
С) высокий уровень шумов
D) трудность согласования с предыдущим каскадом
Е) мал коэффициент по напряжению КU
H) малый коэффициент по току
F) низкий уровень шумов
G) малый коэффициент по мощности
$$$ Представленная на рисунке схема, служит для: 
А) сдвига уровня напряжения предыдущего каскада
В) сдвига уровня U=φ1-φ2 предыдущего каскада
С) выполнение той же функции, что и делитель напряжения
D) увеличения выходного сопротивления предыдущего каскада
Е) уменьшения выходного сопротивления предыдущего каскада
H) увеличения выходного сопротивления последущего каскада
F) сдвига уровня емкости предыдущего каскада
G) сдвига уровня индуктивности предыдущего каскада
$$$ Дана схема каскада с разделенной нагрузкой и RК= RЭ. Чему будут равны Uвых1 и Uвых2?
А) равны по амплитуде
В) противоположны по фазе
С) равны по максимальному значению напряжении
D) равны по амплитуде и фазе
Е) не равны по амплитуде, но по фазе равны по величине и знаку
H) не равны по амплитуде и фазы
F) противоположны по амплитуде
G) равны по минимальному значению напряжения
$$$ ДУ представляет – два УПТ общей эмиттерной нагрузкой RЭ или…
А) сбалансированный мост
В) параллельно – балансный мост
С) дифференциальный усилитель
D) несбалансированный мост
Е) мост Вина
H) двухкаскадный усилитель
F) схема Дарлингтона
G) схема Шотки
$$$ Если выходной сигнал ДУ снимается между коллекторами, то выход называется …
А) симметричным
В) равным по напряжению
С) устойчивым
D) несимметричным
Е) дифференциальным
H) инвертирующим
F) неустойчивым
G) симмисторным
$$$ Если сигнал подается на один из входов ДУ, а другой вход заземляется, то входы называется…
А) дифференциальным
В) параллельно-балансным
С) разностным
D) симметричным
Е) несимметричным
H) неинвертирующими
F) переключательным
G) разностным
$$$ Если выходной сигнал ДУ снимается с одного из коллекторов, то выход называется…
А) несимметричным
В) неравным
С) балансным
D) симметричным
Е) дифференциальным
H) инвертирующим
F) мостовым
G) противоположным симметричным
$$$ Для уменьшения действия синфазного сигнала на нормальную работу ДУ необходимо стабилизировать …
А) ток IЭ
В) ток в процессе эмиттерной инжекции
С) ток общих эмиттеров
D) напряжение источника питания Ек
Е) ток IК
H) ток Iб
F) ток общих коллекторов
G) ток в процессе рекомбинации
5. ГСТ должен иметь сопротивление для постоянного тока и переменной составляющей-
А) минимальное по постоянному току и максимальное по переменной составляющей
В) большое по переменной составляющей
С) малое по постоянному току
D) большой по постоянному току и малое по переменной составляющей
Е) оба маленьких
H) оба больших
F) сопротивление он не имеет
$$$ Основной задачей при проектировании схем ДУ является …
А) увеличение входного сопротивление Rвх
В) получение минимальных искажении
С) увеличение коэффициента усиления усилителя
D) выходного сопротивление Rвых
Е) ↓ коэффициента нелинейных искажений KH
H) ↑ коэффициента частотных искажений Kf
F) уменьшение выходной мощности
G) увеличение выходной мощности
$$$ Если на входах ДУ установить эмиттерные повторители, то выходное сопротивление..
А) увеличится
В)R→∞
С) R=max
D) уменьшится
Е) уменьшится вдвое
H) будет равно выходному
F) R=0
G) будет минимальным
$$$ Отражатель токов ДУ обеспечивает высокий К и сигнал по току на однотактном выходе будет…
А) увеличен в 2β раз
В) увеличен дважды на коэффициент усиления по току
С) увеличен в 2h21 раз
D) увеличен в β раз
Е) уменьшен в 2β раз
H) уменьшен β раз
F) увеличен в 2h12 раз
G) увеличен в 2h22 раз
$$$ В ДУ используется динамическая нагрузка, т.е. вместо резисторов Rк1 и Rк2 ставятся транзисторы VT2 и VT3, которые имеют низкое сопротивление по постоянному току и высокое-по переменному…..
А) для увеличения КU
В) для увеличения коэффициента усиления по напряжению
С) для уменьшения отношения Uвых/Uвх
D) для увеличения КН
Е) для стабилизации IЭ
H) для увеличения Rвх
F) для увеличения коэффициента усиления по мощности
G) для увеличения отношения Uвых/Uвх
$$$Универсальный усилитель постоянного тока с дифференциальным входом и однотактным выходом это
А) операционный усилитель
В) УПТ
С) аналоговое устройство для усиления электрических сигналов
D) дифференциальный усилитель
Е) усилитель мощности
H) УНЧ
F) аналоговое устройство для уменьшение электрических сигналов
G) аналоговое устройство
$$$ Идеальный ОУ имеет следующей параметры:
А) KU
Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:
|
|
