Вопросы - первая часть дисциплины ПиКЯвИМС

1. Основные типы атомной перестройки поверхности полубесконечного кристалла при раскалывании вдоль определенной кристаллографической плоскости. Охарактеризовать каждую из типов перестройки и привести пример.

2. Какие типы поверхности кристаллического твердого тела различают, охарактеризовать каждый тип и привести пример получения каждого типа поверхности кристалла.

3. Поверхностные состояния Тамма, дать определение, как формируются и где расположены.

4. Поверхностные состояния Мауэ-Шокли, дать определение, как формируются и где расположены.

5. Образование двойного электрического слоя на поверхности твердого тела, с расположенными на ней поверхностными состояниями. Формирование области пространственного заряда, её толщина, энергетическая модель приповерхностного слоя твердого тела – нарисовать пример зонной диаграммы.

6. Возникновение потенциального барьера в приповерхностной области полубесконечного кристалла, чем определяется его форма (условия обеднения, обогащения, инверсии). Провести анализ хода электростатического потенциала.

7. Для определения каких параметров поверхности кристалла используется уравнение Пуассона (записать уравнение)?

8. Какие параметры поверхности и кристалла влияют на полный заряд в приповерхностной области (Q_SP)?

9. Поверхностная проводимость: какие параметры поверхности и кристалла влияют на нее, нарисовать график зависимости поверхностной проводимости от электростатического потенциала и объяснить вид зависимости.

10. Описать эффективный способ управления величиной поверхностного электростатического потенциала, поверхностной проводимостью и емкостью приповерхностного слоя. Нарисовать зонную диаграмму.

11. Дать определение «быстрых» и «медленных» поверхностных состояний. На работу каких приборов влияет существование данных состояний и каким образом?

12. Каким методом измеряется емкость двойного электрического слоя, нарисовать эквивалентную схему измерения емкости и график зависимости приведенной емкости от приложенного потенциала, объяснить вид данной зависимости.

13. Скорость поверхностной генерации и поверхностной рекомбинации, дать определение, написать какие параметры поверхности и кристалла влияют на их значение.

14. Статистика поверхностной рекомбинации, нарисовать качественный вид зависимости скорости поверхностной рекомбинации от поверхностного потенциала и объяснить его.

15. Влияние поверхностной рекомбинации на распределение неравновесных носителей заряда в приповерхностной области кристалла.

16. Провести анализ хода электростатического потенциала и расчет эффективной длины экранирования Дебая в приповерхностной области кристалла.