Характеристики транзистора, включенного по схеме с ОБ

Пример семейства входных и выходных характеристик маломощного германиевого транзистора приведен на рис.3 и 4.

При U _КБ = 0 и U _ЭБ > 0 характеристика имеет вид обычной ВАХ p-n- перехода в прямом направлении. При подаче запирающего напряжения на коллектор входные характеристики изменяются очень незначительно, что указывает на слабое влияние поля коллектора, на прохождение тока через эмиттерный переход. Это влияние обусловлено эффектом Эрли – уменьшением ширины (толщины) базы при увеличении обратного коллекторного напряжения вследствие расширения коллекторного перехода, что приводит к увеличению коэффициента a на доли процента и соответствующему росту тока.

Наклон выходных характеристик в схеме с ОБ незначителен и также обусловлен эффектом Эрли. Собственный обратный ток коллектора I_КБ0  кроме теплового тока I_К0 включает также ток термогенерации I_КТ и утечки I_КУ. Характеристика передачи дается выражением (2).

Активный режим соответствует первому квадранту выходных характеристик, в режиме двойной инжекции (второй квадрант) происходит спад коллекторного тока при неизменном эмиттерном токе. Это результат встречной инжекции c коллекторного перехода.