Вспомогательная литература

Схема эксперимента

Рис. 1.1. Схемы электрические принципиальные для снятия прямой (a) и обратной (б) ветвей

           ВАХ диода

Схема соединений на стендах отличается от схем на рис,1!

 

Порядок проведения работы:

Прямая ветвь

Источник питания (слева вверху) - 12В…0…+12В, установить в “0”,

Амперметр 1: (в режиме амперметра),

Тумблеры: левый DС

    центральный -200 (прямая ветвь)

                       - 20 (обратная ветвь)

    правый – вниз (I, мА)

Амперметр 2: (в режиме вольтметра),

Тумблеры: левый DС

   центральный - 20

   правый – вверх (U, В)

Изменяя напряжение источника напряжения  (-12…0…+12) от нуля в область положительных значений напряжения устанавливать ток через диод примерно с шагом ~(1-2) мА для ограничительного резистора 1 кОм и  ~(5-10) мА для ограничительного резистора 300 Ом;

Снять значения падения напряжения на диоде и результаты занести в таблицу 1

Таблица 1

I, мА
U, В

Обратная ветвь

Изменяя напряжение источника напряжения от нуля в область отрицательных значений источника напряжения устанавливать значения напряжения 0 и 12В (две точки), при напряжении источника 0 В измерить погрешность миллиамперметра.

Измерить ОБРАТНЫЙ ток через диод и ОБРАТНОЕ напряжение на диоде ДЛЯ этих напряжений, результаты занести в таблицу 2

   Таблица 1

U, В
I, мА

Проделать измерения для диодов 1N4007 и STPS1045

Построение ВАХ: построить ВАХ диодов на одном графике!

***Правила построения графиков, см. файлы:

 Graf_of_rez_eksp.pdf

GraphicsOforml.pdf

Расчет параметров диодов

1. Вычислить значения прямого R _пр и обратного сопротивления R _обр  диодов для двух значений прямого тока (малого и большого):

2. Вычислить дифференциальные сопротивления диодов для двух значений прямого тока (малого и большого):

R _дифф.= dU/dI при

I = I _{пр.макс};

I = I _{пр.макс}/(5-10)

и сравнить полученные значения с дифференциальным сопротивлением р-n- перехода:

R_рn = φ_т/ I, где φ_т – тепловой потенциал (26 мВ).

Исследование преобразования синусоидального сигнала(с диодом 1N4007)

Рис. 1.2. Схема для исследования преобразо­вания диодом синусоидальных колебаний:

 

Изменяя напряжение смещения U_ИП  наблюдать и фотографировать осциллограммы для четырех случаев:

U_ИП = 0

A > U_ИП > 0

0< U_ИП >A

U_ИП < 0

Где А- амплитуда синусоидального сигнала генератора, измеренная на экране осциллографа

Содержание отчета

 

1.Титульный лисч с названием л/р, номером группы фамилии членов бригады, преподавателя

2. Цель работы;

3. Перечень экспериментов;

4. Таблицы измерений;

5. Графики;

6. Расчеты;

7. Осциллограммы с рисунками ВАХ для четырех случаев соотношения A

и U_ИП

8. Приложение – предельно допустимые значения параметров исследуемых полупроводников

9. Выводы

 

Вспомогательная литература

 

1. Электронные и микроэлектронные приборы, Методические указания к лабораторным работам,   Под редакцией С.М. Ершова