Методы уменьшения величины dw

Уменьшить толщину окисла под нитридом кремния (Si₃N₄).

Цель: (локальная).Уменьшить поступление кислорода в область под нитрид.

Уменьшить давление кислорода.

Закрыть боковую область пассивной области нитрида при окислении (сложная технологическая операция, используется в дорогих изделиях).

Указанные меры приведут к минимальным изменениям размеров активных элементов. Типичная величина изменения – десятые, сотые доли мк. Изменения включаются в состав соответствующих параметров моделей.

13. Травление Si3N4 и SiO2.

Цель: Подготовить поверхность для последующих технологических операций. Si₃N₄ и SiO₂ удаляются.

Результат (рис. 2.3):

14. Окисление.

Цель: Создать промежуточный слой для последующего легирования. Толщина окисла 0.1-0.2мкм, t»950°, время - несколько минут.