Студопедия


Авиадвигателестроения Административное право Административное право Беларусии Алгебра Архитектура Безопасность жизнедеятельности Введение в профессию «психолог» Введение в экономику культуры Высшая математика Геология Геоморфология Гидрология и гидрометрии Гидросистемы и гидромашины История Украины Культурология Культурология Логика Маркетинг Машиностроение Медицинская психология Менеджмент Металлы и сварка Методы и средства измерений электрических величин Мировая экономика Начертательная геометрия Основы экономической теории Охрана труда Пожарная тактика Процессы и структуры мышления Профессиональная психология Психология Психология менеджмента Современные фундаментальные и прикладные исследования в приборостроении Социальная психология Социально-философская проблематика Социология Статистика Теоретические основы информатики Теория автоматического регулирования Теория вероятности Транспортное право Туроператор Уголовное право Уголовный процесс Управление современным производством Физика Физические явления Философия Холодильные установки Экология Экономика История экономики Основы экономики Экономика предприятия Экономическая история Экономическая теория Экономический анализ Развитие экономики ЕС Чрезвычайные ситуации ВКонтакте Одноклассники Мой Мир Фейсбук LiveJournal Instagram

Оже-спектроскопия

<== предыдущая статья | следующая статья ==>

 

Развитие микроэлектроники поставило задачу исследования поверхности материалов с высокой точностью. Одним из применяемых для этих методов является оже-спектроскопия, (Pier Victor Auger Пьер Виктор Оже, французский физик) основанная на облучении исследуемой поверхности медленными электронами. Медленные электроны в силу малости кинетической энергии проникают лишь в самые верхние слои кристалла и очень эффективно взаимодействуют с атомами кристалла, а также с адсорбированными на поверхности кристалла атомами газов.

Оже-эффект заключается в заполнении электроном вакансии, образованной на одном из атомных уровней, с передачей безызлучательным путём выделенной при этом энергии электрону другого вышележащего уровня и переводом его в возбуждённое состояние. Если переданная энергия достаточна, возбуждённый электрон покидает атом, и вместо одной первичной вакансии возникают две новые вакансии на более высоких уровнях.

Обычно оже-электроны экспериментально наблюдают в виде потоков электронов с определёнными энергиями, не зависящими от энергии возбуждающих частиц (фотонов, электронов), создающих первичные вакансии. Энергия оже-электронов определяется природой испускающих их атомов и их химическим окружением, что позволяет получать информацию об атомах и их химическом состоянии. Наибольшее применение оже-спектроскопия получила для элементарного анализаприповерхностного слоя твёрдого тела в несколько атомных слоёв. Чувствительность данного метода порядка .

Возможно объединение метода оже-спектроскопия с дифракцией медленных электронов, что даёт возможность не только исследовать элементный состав приповерхностных слоёв монокристаллических образцов, но и получать информацию об их структуре. Дифракция медленных электронов даёт сведения о структуре двумерной решётки как атомов самого кристалла у его поверхности, так и адсорбированных кристаллом атомов газов.

<== предыдущая статья | следующая статья ==>

 

Читайте также:

Эффект Ганна

Основы взаимодействия электромагнитных волн и пучков частиц с веществом

Классификации рецепторов Рецепторы

Электромеханическая память

Устройства формирования и сжатия сложных сигналов на ПАВ

Сенсорные системы человека

Стационарный и нестационарный эффекты Джозефсона и применение их в измерительной технике

Применение использования MEMS в телекоммуникациях

Особенности физики нелинейных процессов в сложных динамических системах

Глава 5. Эффекты взаимодействия электромагнитного поля с веществом

Устройство и принцип работы СТМ

MEMS-дисплеи

Вернуться в оглавление: Физические явления

Просмотров: 2352

 
 

18.212.83.37 © studopedia.ru Не является автором материалов, которые размещены. Но предоставляет возможность бесплатного использования. Есть нарушение авторского права? Напишите нам | Обратная связь.