Схема включения с общим эмиттером (ОЭ)

Рис.8 Схема включения p-n-p транзистора с общим эмиттером

I_ВЫХ = I_К
I_ВХ = I_Б
U_ВХ = U_БЭ
U_ВЫХ = U_КЭ

• Коэффициент усиления по току: I _ВЫХ / I_ВХ = I_К / I_Б = I_К /(I_Э – I_К) = α/(1-α) = β [β>>1].
• Входное сопротивление: R_ВХ = U_ВХ / I_ВХ = U_БЭ / I_Б.

Достоинства

• Большой коэффициент усиления по току.
• Большой коэффициент усиления по напряжению.
• Наибольшее усиление мощности.
• Можно обойтись одним источником питания.

Недостатки

• Худшие температурные и частотные свойства по сравнению со схемой с общей базой.