Построение вольтамперных характеристик транзистора в схеме с ОЭ

Схемы включения транзистора с ОЭ представлены на рис. 5 (L 7_1. ewb) и рис. 6 (L 7_2. ewb).

Семейство входных ВАХ (L 7_1. ewb) снимается при фиксированных значениях U КЭ, путем изменения тока I Б, и измерения напряжения U БЭ. Семейство выходных ВАХ (L 7_2. ewb) снимается при фиксированных значениях I Б, путем изменения напряжения U КЭ, и измерения I К.

Входные статические характеристики транзистора снимать для трех значений U КЭ, которые выбрать с помощью ключей (10В, 20В, 30В). Поддерживая это напряжение неизменным, изменять напряжение между базой и эмиттером U БЭ (потенциометр R 1 от 0 до 100%), следить за показаниями амперметра и вольтметра:

I Б = ƒ(U БЭ) при U КЭ = const

Рис. 5 Исследование входных ВАХ биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

Рис. 6 Исследование выходных ВАХ биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.


Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:  



double arrow
Сейчас читают про: